公开(公告)号：CN101542707B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880000059.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北川博基 ,  桂浩章

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/302

CPC classification number: G01R31/311 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95607 ,  H01L22/12

Abstract: 对于由检查的半导体器件结构中配备的扩散区域形成的结构A，照射脉冲激光时产生的电磁波振幅波形的强度，与预先测定的对基准品的结构A照射脉冲激光时发出的电磁波振幅波形的强度进行比较，校正电磁波检测灵敏度(S14)后，对检查对象的半导体器件进行检查，从而，消除了由于检查装置的电磁波检测灵敏度偏差而造成的测定误差，进行高精度的好坏判定(S16)。

公开(公告)号：CN101542707A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000059.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北川博基 ,  桂浩章

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/302

CPC classification number: G01R31/311 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/95607 ,  H01L22/12

Abstract: 对于由检查的半导体器件结构中配备的扩散区域形成的结构A，照射脉冲激光时产生的电磁波振幅波形的强度，与预先测定的对基准品的结构A照射脉冲激光时发出的电磁波振幅波形的强度进行比较，校正电磁波检测灵敏度(S14)后，对检查对象的半导体器件进行检查，从而，消除了由于检查装置的电磁波检测灵敏度偏差而造成的测定误差，进行高精度的好坏判定(S16)。