半导体激光器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100370553C

    公开(公告)日:2008-02-20

    申请号:CN200480018182.X

    申请日:2004-02-20

    CPC classification number: G11B33/1406 H01S5/024

    Abstract: 根据本发明的半导体激光器件包括具有半导体激光器的机构部件、用于固定机构部件并且辐射机构部件中产生的热量的第一框架、用于控制机构部件的控制部件、用于固定控制部件并且辐射控制部件中产生的热量的第二框架、以及用于将第一框架绝缘地耦合到第二框架的耦合部件。

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