公开(公告)号：CN1933170A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610121345.8

申请日：2006-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了其中减少了像素灵敏特性的波动布图结构，以及实现高产量和高灵敏性的固态图像拾取器件。像素2a和2b包括的各个部分，例如PD3a和3b的光接收区域20a和20b、传输栅电极4a和4b、以及FD5具有包括在行方向延伸的线和在列方向延伸的线的外部形状。以关于在像素对中的2个像素之间延伸的直线轴对称的方式来设置像素对包括的光接收区域20a和20b、传输栅电极4a和4b、以及FD5。并且FD5以及复位晶体管6和放大器晶体管12的源极区域和漏极区域被设置在列方向上延伸的直线上。

公开(公告)号：CN100571342C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200410005598.X

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也 ,  松长诚之

IPC: H04N5/335 ,  H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76237 ,  G01J1/44 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种重放画面上的不均匀较小的高性能固体摄像装置。固体摄像装置具有：在半导体基板上配置成矩阵状的多个像素单元；和为了驱动各像素单元而设置的驱动单元，各像素单元包括：光电二极管和MOS晶体管，以及元件分离部(2)，由挖掘所述半导体基板的STI(Shallow Trench Isolation)形成，用于分离光电二极管和MOS晶体管，在半导体基板(7)上形成导入了导电型与MOS晶体管的源极-漏极区域的导电型相反的杂质的STI泄漏抑止器(1)，以包围元件分离部(2)的侧壁和底面。

公开(公告)号：CN1658396A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009009.X

申请日：2005-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底一个主面中的隔离膜；布置在所述隔离膜上的配线；形成在所述半导体基底内并且位于所述隔离膜附近的扩散层；以及在所述半导体基底一个主面上覆盖扩散层的绝缘膜。所述绝缘膜还覆盖靠近于扩散层的隔离膜的一部分，并且与靠近于扩散层的配线的侧部接触。

公开(公告)号：CN1839477A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200580000710.3

申请日：2005-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置，包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素，各个像素中分别设有：将光变换成信号电荷的光电二极管201；用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有：一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上，另一端接收电源电压的重置晶体管；在第二像素231中设有：具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204，在漏极接收电源电压的放大用晶体管。

公开(公告)号：CN100454565C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510009009.X

申请日：2005-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体基底；设置在所述半导体基底一个主面中的隔离膜；布置在所述隔离膜上的配线；形成在所述半导体基底内并且位于所述隔离膜附近的扩散层；以及在所述半导体基底一个主面上覆盖扩散层的绝缘膜。所述绝缘膜还覆盖靠近于扩散层的隔离膜的一部分，并且与靠近于扩散层的配线的侧部接触。

公开(公告)号：CN1523879A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005598.X

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也 ,  松长诚之

IPC: H04N5/335 ,  H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76237 ,  G01J1/44 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种重放画面上的不均匀较小的高性能固体摄像装置。固体摄像装置具有：在半导体基板上配置成矩阵状的多个像素单元；和为了驱动各像素单元而设置的驱动单元，各像素单元包括：光电二极管和MOS晶体管，以及元件分离部(2)，由挖掘所述半导体基板的STI(Shallow Trench Isolation)形成，用于分离光电二极管和MOS晶体管，在半导体基板(7)上形成导入了导电型与MOS晶体管的源极—漏极区域的导电型相反的杂质的STI泄漏抑止器(1)，以包围元件分离部(2)的侧壁和底面。

公开(公告)号：CN100429780C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200580000710.3

申请日：2005-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置，包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素，各个像素中分别设有：将光变换成信号电荷的光电二极管201；用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有：一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上，另一端接收电源电压的重置晶体管；在第二像素231中设有：具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204，在漏极接收电源电压的放大用晶体管。

公开(公告)号：CN101080814A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043444.2

申请日：2005-03-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/665

Abstract: 使晶体管TrA中每个侧壁(105)的厚度薄于晶体管TrB中每个侧壁(105)的厚度。在晶体管TrA中，当从衬底的主表面方向来看时，高浓度杂质扩散层(106)的表面和侧壁(105)的底部部分处在重叠的位置。硅化物层(108)仅仅形成在高浓度杂质扩散层(106)中。通过在形成覆盖晶体管TrB的CVD氧化物膜(111)之后并且在形成硅化物层(108)之前在晶体管TrA中形成高浓度杂质扩散层(106)可以实现这种限制性的形成。通过这种方式，通过简单的结构可以改善截止－泄露特性，并且可以在同一衬底上同时形成硅化物晶体管和非硅化物晶体管。

公开(公告)号：CN1941388A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610111010.8

申请日：2006-08-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种固体摄像设备，其包括用于向阱区供应参考电压的阱触点和阱配线，甚至当像素面积减小时，其也能抑制接收到光量的降低。作为阱配线，使用阱主配线4，其是利用与各个晶体管的栅极相同的材料、以与形成各个晶体管的栅极相同的工艺形成的。在像素区(PXR)中，阱配线和阱触点包括阱主配线4、直接在阱主配线4上方的第一配线层10中的阱副配线6、栅电极层9中设置的触点3和5。在第二配线层11上方的配线层中没有形成阱配线和阱触点。