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公开(公告)号：CN102124564A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131777.9
申请日：2009-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有在字线与位线的交点部分的接触孔内形成存储元件的交叉点构造、并能够实现微细化和大容量化的非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性半导体存储装置包括：基板；形成在基板上的多个条纹形状的下层铜配线(70)；形成在包含下层铜配线(70)的基板上的层间绝缘层(76)；以贯通至下层铜配线(70)的表面的方式形成在层间绝缘层(76)的多个接触孔；仅形成在接触孔的底部的电极种子层(77)和贵金属电极层(78)；与贵金属电极层(78)连接、并埋入形成在接触孔内的电阻变化层(73)；以及与电阻变化层(73)连接、并与下层铜配线(70)交叉的多个具有条纹形状的上层铜配线(74)，电极种子层(77)和贵金属电极层(78)通过选择性成长镀形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102239557B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980148572.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。
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公开(公告)号：CN102239558B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN102239558A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN103168359A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180035067.3
申请日：2011-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件（10）具有：第1金属布线（103）；插塞（107），形成于第1金属布线（103）上，并与第1金属布线（103）连接；层叠体（150），包括第1电极（108）和第2电极（111）和电阻变化层（113），并形成于插塞（107）上，插塞（107）与第1电极（108）连接；第2金属布线（119），形成于层叠体（150）上，直接与第2电极（111）连接；以及侧壁保护层（115），具有绝缘性和氧阻隔性，覆盖层叠体（150）的侧壁，第2金属布线（119）的下表面的一部分位于层叠体（150）的上表面的下侧。
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公开(公告)号：CN102239557A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148572.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。
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