公开(公告)号：CN100474655C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200380102953.9

申请日：2003-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 富田常张 ,  中村哲朗 ,  益本贤一 ,  行德明 ,  滨野敬史 ,  丰村祐士

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 过去的有机发光元件，像素的形成精度被在有机层的上面具有的电极的图形形成精度控制。由于该电极的图形形成是在有机层形成后进行，因此只能使用图形形成精度低的蒸镀法，难以形成均质而微小的像素。于是，本发明的有机发光元件的制造方法，在包含透明电极和金属层的第1电极中，形成覆盖去除与像素对应的区域的金属层而露出的透明电极的有机层，在该有机层上形成第2电极。本方法像素的形成精度只依赖于金属层的去除精度，由于金属层的去除是在有机层形成前进行，因此能够适用光刻技术，使均质、且微小的像素的形成变得可能。

公开(公告)号：CN1711804A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102953.9

申请日：2003-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 富田常张 ,  中村哲朗 ,  益本贤一 ,  行德明 ,  滨野敬史 ,  丰村祐士

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 过去的有机发光元件，像素的形成精度被在有机层的上面具有的电极的图形形成精度控制。由于该电极的图形形成是在有机层形成后进行，因此只能使用图形形成精度低的蒸镀法，难以形成均质而微小的像素。于是，本发明的有机发光元件的制造方法，在包含透明电极和金属层的第1电极中，形成覆盖去除与像素对应的区域的金属层而露出的透明电极的有机层，在该有机层上形成第2电极。本方法像素的形成精度只依赖于金属层的去除精度，由于金属层的去除是在有机层形成前进行，因此能够适用光刻技术，使均质、且微小的像素的形成变得可能。