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公开(公告)号：CN1088904C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95108043.1
申请日：1995-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/008
CPC classification number: H01G9/151 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种铝电解电容器的制造方法，按本发明，使从电容器主体的同一端面引出的一对引出线穿经、并插入绝缘板上的通孔内，然后，将弯折后的该对引线伸出于绝缘板端面的部分切断，以使其能收置于设于绝缘板外表面上的凹部内。由此，可使伸出于绝缘板端面的所述一对引出线的伸出尺寸没有偏差，并保持恒定。
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公开(公告)号：CN101681912B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200880015311.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/943
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。
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公开(公告)号：CN1407947A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN01805961.9
申请日：2001-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下一郎
CPC classification number: H01L21/3088 , H01L21/3081
Abstract: 一种微小结构体的精密加工方法，在硅基板6上形成保存由氧化铁所形成的核1的铁蛋白4的二维结晶膜，然后，至少将核1作为蚀刻膜对硅基板1进行蚀刻。因为核1的直径为6nm，很细微，故能在基板上形成微小构造体，可以利用于利用半导体发光元件和量子效应的各种半导体元件的制造方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1124401A
公开(公告)日：1996-06-12
申请号：CN95108043.1
申请日：1995-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/008
CPC classification number: H01G9/151 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明涉及一种铝电解电容器的制造方法，按本发明，使从电容器主体的同一端面引出的一对引出线穿经、并插入绝缘板上的通孔内，然后，将弯折后的该对引线伸出于绝缘板端面的部分切断，以使其能收置于设于绝缘板外表面上的凹部内。由此，可使伸出于绝缘板端面的所述一对引出线的伸出尺寸没有偏差，并保持恒定。
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公开(公告)号：CN1193388C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00801780.8
申请日：2000-09-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/028
Abstract: 本发明涉及降低了漏泄电流、大电容量、高耐热性、适宜作表面安装器件的固体电解电容器及其制造方法。本发明具有如下特征：(1)在阳极箔介电氧化物膜上形成有包含电子导电性聚合物和低导电性聚合物的聚合物层。(2)在阳极箔与阴极箔之间夹有以纺粘法和/或湿法加工的树脂材料制成的聚酯基非织造布隔膜，并与阳极箔和阴极箔卷在一起而形成电容器芯件以及固体电解质。(3)在阳极箔与覆盖有耐电压为0.8-10伏的介电氧化物膜的阴极箔之间夹有隔膜，并与阳极箔和阴极箔卷在一起而形成电容器芯件以及导电性聚合物固体电解质。(4)阴极箔覆盖有由选自钛、锆、铪以及它们的化合物的至少一种金属材料或碳系材料形成的覆盖层。(5)电容器芯件的含水量调整到1(重量)%以下，并封装在外壳体中。(6-A)固体电解质是一种在氧化剂溶液存在下，由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物，其中氧化剂溶液中二价铁相对于三价铁的重量比不高于0.02。(6-B)固体电解质是一种在氧化剂溶液存在下，由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物，其中氧化剂溶液中脂族和/或芳族磺酸与三价铁的摩尔比为3.0-3.5。(7)固体电解质是一种由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物，其中残留的碱性有机溶剂在0.8%以下。
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公开(公告)号：CN1321322A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801780.8
申请日：2000-09-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/028
Abstract: 本发明涉及降低了漏泄电流、大电容量、高耐热性、适宜作表面安装器件的固体电解电容器及其制造方法。本发明具有如下特征:(1)在阳极箔介电氧化物膜上形成有包含电子导电性聚合物和低导电性聚合物的聚合物层。(2)在阳极箔与阴极箔之间夹有以纺粘法和/或湿法加工的树脂材料制成的聚酯基非织造布隔膜,并与阳极箔和阴极箔卷在一起而形成电容器芯件以及固体电解质。(3)在阳极箔与覆盖有耐电压为0.8－10伏的介电氧化物膜的阴极箔之间夹有隔膜,并与阳极箔和阴极箔卷在一起而形成电容器芯件以及导电性聚合物固体电解质。(4)阴极箔覆盖有由选自钛、锆、铪以及它们的化合物的至少一种金属材料或碳系材料形成的覆盖层。(5)电容器芯件的含水量调整到1(重量)%以下,并封装在外壳体中。(6－A)固体电解质是一种在氧化剂溶液存在下,由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物,其中氧化剂溶液中二价铁相对于三价铁的重量比不高于0.02。(6一B)固体电解质是一种在氧化剂溶液存在下,由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物,其中氧化剂溶液中脂族和/或芳族磺酸与三价铁的摩尔比为3.0－3.5。(7)固体电解质是一种由杂环单体经化学氧化聚合制成的导电性聚合物,其中残留的碱性有机溶剂在0.8%以下。
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公开(公告)号：CN101681912A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015311.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/943
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。
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公开(公告)号：CN1388134A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02119737.7
申请日：2002-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下一郎
CPC classification number: H01L29/42332 , A61K38/00 , C07K14/47 , Y10T428/12868 , Y10T428/253
Abstract: 使用基因重组技术,用不带电荷并且尺寸小的丝氨酸取代位于去铁铁蛋白的通道3的谷氨酸以及天冬酰酸。接着,用赖氨酸的碱性氨基酸或中性氨基酸取代位于保持部4的谷氨酸。再在保持部导入一个以上的半胱氨酸。由此,能防止带负电荷的(AuCl4)－与带负电荷的氨基酸之间产生由于静电的相互作用导致的斥力,从而能把(AuCl4)－容易地导入通道和保持部。被导入保持部中的(AuCl4)－接着被还原为Au,制作出包含了金粒子的去铁铁蛋白。把贵金属微粒导入去铁铁蛋白中,制作贵金属－去铁铁蛋白复合体。
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