公开(公告)号：CN1469490A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03148938.9

申请日：2003-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/94 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其目的在于：在硅衬底上形成高介电栅极绝缘膜的时候，既能抑制该栅极绝缘膜中缺氧，又能防止硅衬底氧化。在硅衬底101上沉积锆金属膜105以后，再在锆金属膜105上沉积氧化铪膜106，最后在氧化铪膜106上形成将成为栅电极的氮化钛膜109。

公开(公告)号：CN1427454A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02152798.9

申请日：2002-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02244 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。

公开(公告)号：CN100401478C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200310124715.X

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：抑制变成低介电率层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底1上沉积金属膜12。其次，通过用氧游离基13氧化金属膜12，形成变成栅极绝缘膜的金属氧化膜2。

公开(公告)号：CN1282255C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN03148938.9

申请日：2003-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/94 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其目的在于：在硅衬底上形成高介电栅极绝缘膜的时候，既能抑制该栅极绝缘膜中缺氧，又能防止硅衬底氧化。在硅衬底(101)上沉积锆金属膜(105)以后，再在锆金属膜(105)上沉积氧化铪膜(106)，最后在氧化铪膜(106)上形成将成为栅电极的氮化钛膜(109)。

公开(公告)号：CN1841675A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610073679.2

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制成为低介电常数层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底(1)上沉积金属膜(12)。其次，通过用氧游离基(13)氧化金属膜(12)，而形成成为栅极绝缘膜的金属氧化膜(2)。

公开(公告)号：CN100468638C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN02152798.9

申请日：2002-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02244 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。

公开(公告)号：CN1521811A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200310124715.X

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：抑制变成低介电率层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底1上沉积金属膜12。其次，通过用氧游离基13氧化金属膜12，形成变成栅极绝缘膜的金属氧化膜2。