公开(公告)号：CN1156825A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96108205.4

申请日：1996-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉原宏和 ,  竹谷诚 ,  龟井明仁 ,  岩崎裕

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/00 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01N33/48728 ,  G01N27/305 ,  Y10S436/806

Abstract: 二维传感器包括Si、SiO2及Si3N4三层的衬底。衬底Si背面用汽相淀积法形成作为效应电极的薄膜。Si3N4正面附着盛样品细胞、培养基及参照电极的栅栏。传感器放恒温箱内，效应电极与参照电极间加偏置电压。当高频调制激光光束在传感器衬底照射出光斑时从效应电极获得光电流信号。该信号大体相当于光斑上细胞活性造成的电位变化并用计算机处理。因此，使光束聚焦和移动而易于调整相当于测量电极的尺寸位置的光束光斑的尺寸及位置。

公开(公告)号：CN1099595C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN96108204.6

申请日：1996-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉原宏和 ,  竹谷诚 ,  龟井明仁 ,  岩崎裕

IPC: G01N33/487 ,  G01N27/00 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01N33/48728 ,  G01N27/305 ,  Y10S436/806

Abstract: 二维传感器包括：光照射的光斑处电导率增大的光导电层、在光电导层正面形成的绝缘层、在光电导层背面形成的作用电极以及附在绝缘层表面的装细胞、培养基和参照电极的细胞支撑器。传感器放恒温箱内，作用电极与参考电极间加偏置电压。当激光束在传感器背面照射出光斑时，从作用电极获得信号。该信号大体相当于激光照射光斑处细胞活性造成的电位变化并用计算机处理。使激光束聚焦和移动而易于改变相当于测量电极大小和位置的光束光斑的大小和位置。

公开(公告)号：CN1154475A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96108204.6

申请日：1996-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉原宏和 ,  竹谷诚 ,  龟井明仁 ,  岩崎裕

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/00 ,  G01D5/14

CPC classification number: G01N33/48728 ,  G01N27/305 ,  Y10S436/806

Abstract: 二维传感器包括：光照射的光斑处电导率增大的光电导层、在光电导层正面形成的绝缘层、在光电导层背面形成的效应电极以及附在绝缘层表面的装细胞、培养基和参照电极的细胞支撑器。传感器放恒温箱内，效应电极与参照电极间加偏置电压。当激光束在传感器背面照射出光斑时，从效应电极获得信号。该信号大体相当于激光照射光斑处细胞活性造成的电位变化并用计算机处理。使激光束聚焦和移动而易于改变相当于测量电极大小和位置的光束光斑的大小和位置。