磁信号检测装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1087077C

    公开(公告)日:2002-07-03

    申请号:CN95190793.X

    申请日:1995-08-23

    Inventor: 嶋村宽 三谷觉

    CPC classification number: G01D5/145 G01P3/487 G01R33/09 G11B5/00 G11B5/3903

    Abstract: 本发明涉及一种采用铁磁薄膜磁致电阻元件的磁信号检测装置,其利用小的偏磁磁场,通过使薄膜磁致电阻元件在磁化方向实现最佳产生高线性度的最大输出。沿相对于电流I的方向即在基片(1)上的薄膜磁致电阻元件的长度方向成近于56°的方向施加偏磁磁场Hb,使磁化强度M的方向约为45°,以便在电源端(4,5)之间得到高线性的输出。

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