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公开(公告)号：CN112053941A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497317.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造装置具备：原料反应室；原料反应部，设置于原料反应室内，并生成含III族元素气体；基板保持构件，保持基板；原料喷嘴，朝向基板喷射含III族元素气体；氮源喷嘴，朝向基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与基板相比的近前方与原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成含III族元素气体与含氮元素气体进行混合的混合部；加热单元，用于将原料反应室、原料喷嘴、氮源喷嘴和基板保持构件进行加热；以及旋转机构，用于将基板保持构件进行旋转。
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