公开(公告)号：CN100407441C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410079861.X

申请日：2004-09-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田泰之 ,  曾根高真一

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/732

Abstract: 一种半导体器件，具有低电阻的N型半导体基板(101)、形成在该N型半导体基板(101)上的N型的并且电阻率比半导体基板(101)高的集电层(102)、与该集电层(102)具有接合面的P型的基区(104)、与该基区(104)具有接合面的N型的发射区(105)，其中，基(104)的沿其周围，被从集电层(102)到达N型半导体基板(101)的绝缘槽(103)包围，绝缘槽(103)的侧面与基区(104)相接且从与基区(104)相接的部分通过集电层(102)向下方呈直线状延伸。根据本发明，即使电源电压变动，半导体器件中的集极基极间的反馈电容也不变化。

公开(公告)号：CN1241267C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200310101510.X

申请日：2003-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 曾根高真一 ,  丰田泰之 ,  新井一浩 ,  太田顺道

IPC: H01L27/118 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0692

Abstract: 本发明提供一种双极型晶体管，其中，多个具有发射极、基极以及集电极的单位晶体管成并联连接，各晶体管组的单位晶体管数量各不相同，是具备2、4、8、16个的第1晶体管组、第2晶体管组、第3晶体管组以及第4晶体管组的梳形多触点型双极型晶体管。

公开(公告)号：CN1497734A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101510.X

申请日：2003-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 曾根高真一 ,  丰田泰之 ,  新井一浩 ,  太田顺道

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0692

Abstract: 本发明提供一种具备双极型晶体管，其具备多个具有发射极、基极以及集电极的单位晶体管成电的并联连接的双极型晶体管，各晶体管组的单位晶体管数量各不相同，是具备2、4、8、16个的第1晶体管组、第2晶体管组、第3晶体管组以及第4晶体管组的梳形多触点型双极型晶体管。

公开(公告)号：CN1269221C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03154690.0

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  新井一浩 ,  丰田泰之 ,  曾根高真一

IPC: H01L29/732 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H03B5/1847 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/1305 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/1243 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供双极型晶体管、振荡电路及电压控制型振荡器。本发明的双极型晶体管，作为振荡电路的振荡放大器使用时，能够得到所期望的好的高频率性能，且能实现小型化及低成本。与基极焊盘(7)连接的电容调整用布线(11)夹着绝缘膜(3)和N型集电极衬底，与N+型集电极衬底之间形成寄生电容，使集电极-基极间电容Ccb增加。将该电容作为构成振荡电路的平衡电容的至少一部分，在半导体制造工序，装入晶体管工作区域(2)小且作为振荡放大器用的双极型晶体管中。

公开(公告)号：CN1601754A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410079861.X

申请日：2004-09-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田泰之 ,  曾根高真一

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/732

Abstract: 一种半导体器件，具有低电阻的N型半导体基板(101)、形成在该N型半导体基板(101)上的N型的并且电阻比半导体基板(101)高的集电层(102)、与该集电层(102)具有接合面的P型的本征基区(104)、与该本征基区(104)具有接合面的N型的发射区(105)，其中，本征基区(104)的沿其周围，被从集电层(102)到达N型半导体基板(101)的绝缘槽(103)覆盖。根据本发明，即使电源电压变动，半导体器件中的集极基极间的反馈电容也不变化。

公开(公告)号：CN1494163A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03154690.0

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  新井一浩 ,  丰田泰之 ,  曾根高真一

IPC: H01L29/732 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H03B5/1847 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2924/1305 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/1243 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供双极型晶体管、振荡电路及电压控制型振荡器。本发明的双极型晶体管，作为振荡电路的振荡放大器使用时，能够得到所期望的好的高频率性能，且能实现小型化及低成本。与基极焊盘(7)连接的电容调整用布线(11)夹着绝缘膜(3)和N型集电极衬底，与N+型集电极衬底之间形成寄生电容，使集电极一基极间电容Ccb增加。将该电容作为构成振荡电路的平衡电容的至少一部分，在半导体制造工序，装入晶体管工作区域(2)小且作为振荡放大器用的双极型晶体管中。