公开(公告)号：CN1538459B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410032961.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  杉本映 ,  小关隆夫

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0416 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5004

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)、和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。

公开(公告)号：CN1538459A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410032961.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  杉本映 ,  小关隆夫

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0416 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5004

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。