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公开(公告)号：CN1698157B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480000212.4
申请日：2004-02-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445 , H01J2217/49
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板的老化方法。在扫描电极和维持电极之间施加包含交变电压分量的电压从而进行老化放电的老化工序中，要点在于，在从包含交变电压分量的电压的上升起规定的时间后，将用于抑制伴随老化放电而发生的消除放电的电压施加到扫描电极、维持电极、或者数据电极中的至少一个电极上，所述包含交变电压分量的电压为在扫描电极和维持电极之间施加的电压。进而在伴随交替重复的老化放电而发生的消除放电中，仅抑制一方的消除放电。
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公开(公告)号：CN100463095C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200480001435.2
申请日：2004-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/445 , G09G3/298 , G09G2320/0228
Abstract: 一种等离子体显示屏，具有以下特点，对于具有扫描电极、维持电极、地址电极的等离子体显示屏，在至少在扫描电极与维持电极之间交替施加扫描电极用脉冲电压和维持电极用脉冲电压以进行老化处理放电的老化处理工艺中，对地址电极施加至少上升时间与扫描电极用脉冲电压的上升时间同步、且脉冲宽度小于扫描电极用脉冲电压的宽度的第1地址电极用脉冲电压，或者上升时间与维持电极用脉冲电压的上升时间同步、且脉冲宽度小于维持电极用脉冲电压的宽度的第2地址电极用脉冲电压。
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公开(公告)号：CN100429736C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200480000210.5
申请日：2004-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445 , H01J2217/492
Abstract: 本发明涉及一种等离子体显示板及其老化方法。至少在扫描电极(5)和维持电极(6)之间施加包含交变电压分量的电压从而进行在保护层上产生放电痕(飞溅痕)的老化放电，形成比扫描电极(5)侧的放电痕浅的维持电极(6)侧的放电痕，或者，在维持电极(6)侧的放电痕中，距与维持电极成对作为显示电极的扫描电极(5)远的区域的放电痕比距与维持电极成对作为显示电极的扫描电极(5)近的区域的放电痕浅。
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公开(公告)号：CN100380561C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03800853.X
申请日：2003-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445
Abstract: 本发明是一种进行高生产率老化的等离子体显示面板的制造方法。在对等离子体显示面板(21)加上规定电压、进行显示驱动的老化工序中，将一个个等离子体显示面板设置在具有冷却装置的老化单元上，利用该老化单元的冷却装置，一面冷却等离子体显示面板，一面进行老化，能够抑制老化工序中的面板温度上升，防止老化工序中的面板破碎。
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公开(公告)号：CN1545716A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800853.X
申请日：2003-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445
Abstract: 本发明是一种进行高生产率老化的等离子体显示面板的制造方法。在对等离子体显示面板21加上规定电压、进行显示驱动的老化工序中，将一个个等离子体显示面板设置在具有冷却装置的老化单元上，利用该老化单元的冷却装置，一面冷却等离子体显示面板，一面进行老化，能够抑制老化工序中的面板温度上升，防止老化工序中的面板破碎。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1706021A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001435.2
申请日：2004-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/445 , G09G3/298 , G09G2320/0228
Abstract: 一种等离子体显示屏，具有以下特点，对于具有扫描电极、维持电极、地址电极的等离子体显示屏，在至少在扫描电极与维持电极之间交替施加扫描电极用脉冲电压和维持电极用脉冲电压以进行老化处理放电的老化处理工艺中，对地址电极施加至少上升时间与扫描电极用脉冲电压的上升时间同步、且脉冲宽度小于扫描电极用脉冲电压的宽度的第1地址电极用脉冲电压，或者上升时间与维持电极用脉冲电压的上升时间同步、且脉冲宽度小于维持电极用脉冲电压的宽度的第2地址电极用脉冲电压。
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公开(公告)号：CN1698156A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000210.5
申请日：2004-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445 , H01J2217/492
Abstract: 本发明涉及一种等离子体显示板及其老化方法。至少在扫描电极(5)和维持电极(6)之间施加包含交变电压分量的电压从而进行在保护层上产生放电痕(飞溅痕)的老化放电，形成比扫描电极(5)侧的放电痕浅的维持电极(6)侧的放电痕，或者，在维持电极(6)侧的放电痕中，距与维持电极成对作为显示电极的扫描电极(5)远的区域的放电痕比距与维持电极成对作为显示电极的扫描电极(5)近的区域的放电痕浅。
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公开(公告)号：CN1173403C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN98103420.9
申请日：1998-07-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。
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公开(公告)号：CN1107345C
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN97121332.1
申请日：1994-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/324 , H01L21/30 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/10852 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/75 , Y10S438/958
Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。
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公开(公告)号：CN100403520C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410078515.X
申请日：1996-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
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