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公开(公告)号：CN1757087A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006150.8
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J31/125 , H01J2329/00
Abstract: 本发明的主要目的在于有效地提供一种具有与现有技术同等或更好的性能的电子发射元件。本发明的电子发射元件是备有：基底材料、设置在上述基底材料上的电极层、设置在上述电极层上的电子发射层、以及不接触上述电子发射层配置的控制电极层的电子发射元件，其特征在于：上述电子发射层包含在电场中发射电子的电子发射材料(20、30)，上述电子发射材料是有网状结构骨架的多孔体，网状结构骨架由内部和表面部构成，表面部包含电子发射成分(21、31)，内部被i)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种(22)，ii)空间(32)，或iii)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种及空间占有。
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公开(公告)号：CN1754244A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480004839.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/022 , C01B32/20 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。
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公开(公告)号：CN100379706C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200480018888.6
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种维持石墨具有的面方向的高导热特性、并改善层方向的导热性的高导热性部件。本发明涉及一种将碳颗粒分散在由石墨类基体构成的高定向性石墨结构体中形成的高导热性部件，其特征在于：(1)构成上述石墨的各石墨层的c轴是平行的；(2)与上述c轴垂直的方向的导热率κ‖在400W/m·K以上1000W/m·K以下的范围；(3)与上述c轴平行的方向的导热率κ⊥在10W/m·K以上100W/m·K以下的范围。
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公开(公告)号：CN1910722A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002073.3
申请日：2005-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02E60/324
Abstract: 本发明提供一种电子发射特性优异的电子发射材料及其制造方法、以及一种电子发射元件。该制造方法是含有烧制高分子膜而得到的碳材料的电子发射材料的制造方法，在该制造方法中：制备分散有选自金属氧化物和金属碳酸化物的至少一种金属化合物的聚酰胺酸溶液；将制备的聚酰胺酸溶液成膜并酰亚胺化，形成含有金属化合物的聚酰亚胺膜；对形成的聚酰亚胺膜进行烧制，形成碳材料。一种电子发射材料，含有碳材料，在碳材料的表面上形成有表面具有凹陷的隆起，该隆起含有金属元素。
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公开(公告)号：CN100527309C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200480006150.8
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J31/125 , H01J2329/00
Abstract: 本发明的主要目的在于有效地提供一种具有与现有技术同等或更好的性能的电子发射元件。本发明的电子发射元件是备有：基底材料、设置在上述基底材料上的电极层、设置在上述电极层上的电子发射层、以及不接触上述电子发射层配置的控制电极层的电子发射元件，其特征在于：上述电子发射层包含在电场中发射电子的电子发射材料(20、30)，上述电子发射材料是有网状结构骨架的多孔体，网状结构骨架由内部和表面部构成，表面部包含电子发射成分(21、31)，内部被i)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种(22)，ii)空间(32)，或iii)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种及空间占有。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1816504A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018888.6
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种维持石墨具有的面方向的高导热特性、并改善层方向的导热性的高导热性部件。本发明涉及一种将碳颗粒分散在石墨类基体中形成的高导热性部件，其特征在于：(1)构成上述石墨的各石墨层的c轴实质上是平行的；(2)与上述c轴垂直的方向的导热率κ‖在400W/m·K以上1000W/m·K以下的范围；(3)与上述c轴平行的方向的导热率κ⊥在10W/m·K以上100W/m·K以下的范围。
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公开(公告)号：CN100505134C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480004839.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/022 , C01B32/20 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。
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公开(公告)号：CN100424905C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200480019715.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L37/00 , F25B2321/003
Abstract: 一种热电变换元件，具有：利用热和电场作用发射电子的发射极(1)；与发射极(1)相对配置的、收集从发射极(1)发射的电子的集电极(2)；作为从发射极(1)发射的电子的移动区域的、由发射极(1)和集电极(2)夹着的电子传送层(3)，电子传送层(3)是作为气相和固相混合构造的多孔质体，构成多孔质体的所述固相整体由电绝缘体材料构成，向集电极(2)施加比向发射极(1)施加的电位还高的电位，从发射极(1)放出的电子，在气相中移动。
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公开(公告)号：CN1820381A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019715.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L37/00 , F25B2321/003
Abstract: 一种热电变换元件，具有：利用热和电场作用发射电子的发射极(1)；与发射极(1)相对配置的、收集从发射极(1)发射的电子的集电极(2)；作为从发射极(1)发射的电子的移动区域的、由发射极(1)和集电极(2)夹着的电子传送层(3)，电子传送层(3)是作为气相和固相混合构造的多孔质体，构成多孔质体的所述固相整体由电绝缘体材料构成，向集电极(2)施加比向发射极(1)施加的电位还高的电位，从发射极(1)放出的电子，在气相中移动。
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公开(公告)号：CN1781172A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011314.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供降低功函数的电子发射材料，以及与现有相比实现低电能消耗化及/或高电流密度化的电子发射特性优良的电子发射元件。该电子发射材料包括：表面上具有原子台阶及在相邻的两个所述原子台阶之间具有平坦部的半导体基体；和所述平坦部上配置的吸附层，吸附层含有选自碱金属元素、碱土类金属元素及Sc中的至少一种元素。
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