公开(公告)号：CN101582411A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910140902.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  柴田润一 ,  植木彰

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明制造具有实用上充分的动作速度及耐电迁移性的半导体装置。在半导体基板的上表面形成层间绝缘膜(101)，在层间绝缘膜(101)内形成下层配线层(105)。在层间绝缘膜(101)的上表面及下层配线(105)的上表面形成衬垫绝缘膜(106)，在衬垫绝缘膜(106)的上表面形成层间绝缘膜(108)。在层间绝缘膜(108)内形成上层配线(113)，下层配线(105)与上层配线(113)经由过孔(109)连接。并且，在过孔周边区域(140)形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚比在过孔周边区域(140)的外侧形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚厚。

公开(公告)号：CN101582411B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910140902.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史 ,  柴田润一 ,  植木彰

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明制造具有实用上充分的动作速度及耐电迁移性的半导体装置。在半导体基板的上表面形成层间绝缘膜(101)，在层间绝缘膜(101)内形成下层配线层(105)。在层间绝缘膜(101)的上表面及下层配线(105)的上表面形成衬垫绝缘膜(106)，在衬垫绝缘膜(106)的上表面形成层间绝缘膜(108)。在层间绝缘膜(108)内形成上层配线(113)，下层配线(105)与上层配线(113)经由过孔(109)连接。并且，在过孔周边区域(140)形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚比在过孔周边区域(140)的外侧形成的衬垫绝缘膜(106)的膜厚厚。