公开(公告)号：CN1622463A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095645.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中启司 ,  皿井修 ,  种村文法 ,  伊达义人 ,  铃木润

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K17/223 ,  H03K3/356121 ,  H03K5/1506

Abstract: 在带锁存功能的电平移位电路中，为了切断输入级的贯穿电流，通过设置在预充电期间导通的预充电用PMOS晶体管MP1、在数据输入期间输入数据并放电的NMOS晶体管MN1、及在电平移位后保持数据的晶体管MP2，从而各晶体管能以最小的电平构成。又因该电平移位电路具有锁存功能，所以能省去锁存输入数据的电路，能减小电路面积。

公开(公告)号：CN1316743C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410095645.4

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中启司 ,  皿井修 ,  种村文法 ,  伊达义人 ,  铃木润

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K17/223 ,  H03K3/356121 ,  H03K5/1506

Abstract: 在带锁存功能的电平移位电路中，为了切断输入级的贯穿电流，通过设置在预充电期间导通的预充电用PMOS晶体管MP1、在数据输入期间输入数据并放电的NMOS晶体管MN1、及在电平移位后保持数据的晶体管MP2，从而各晶体管能以最小的电平构成。又因该电平移位电路具有锁存功能，所以能省去锁存输入数据的电路，能减小电路面积。