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公开(公告)号：CN1255951C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN00804099.0
申请日：2000-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/68
Abstract: 一种数字/模拟变换电路，它配置有上位DA变换电路部(100)、下位DA变换电路部(200)、取样保持部(250)、输出部(300)。上位DA变换电路部(100)，是将13比特的输入码中的上位5比特进行DA变换过的第一电压Va和第一电压Vb，通过各自具有相同特性的两个缓冲器(10a，10b)，输出到第一、第二输出节点(11、12)；下位DA变换电路部(200)，是把这两个输出节点的电压，当作R-2R梯形电路(201)的基准电压，对输入码的下位8比特，进行DA变换后，输出到第三输出节点(13)上；取样保持部(250)，是与该输入码的值相对应，选择性地取样保持所述13比特的输入码的DA变换输出，即所述第三输出节点(13)的电压；输出部(300)，是将被取样保持的DA变换输出电压，以任意电压(Vc)为中心，进行放大。因此，即使变换比特数多的情况下，也能够在小面积芯片上实现可高精度输出希望的模拟电压的DA变换电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1505226A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115788.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , H01S5/042 , H01S5/0428
Abstract: 本发明的一种激光二极管驱动装置能够在从小电流区至大电流区的范围内适当缩短激光二极管驱动电流的上升时间和下降时间。微分电流与从输入恒定电流源向激光二极管驱动电流放大器施加初始输入电流同步地，通过微分电路和引入型V－I转换电路被添加至该输入电流，由此使激光二极管驱动电流的上升变得陡峭。另外，通过与输入电流断开同步地，利用微分电流和引出型V－I转换电路增加构成激光二极管驱动电流放大器的输入PchMOS晶体管的栅电势，可以使激光二极管驱动电流的下降变得陡峭。
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公开(公告)号：CN1341293A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804099.0
申请日：2000-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/68
Abstract: 一种数字/模拟变换电路,它配置有上位DA变换电路部(100)、下位DA变换电路部(200)、取样保持部(250)、输出部(300)。上位DA变换电路部(100),是将13比特的输入码中的上位5比特进行DA变换过的第一电压Va和第一电压Vb,通过各自具有相同特性的两个缓冲器(10a,10b),输出到第一、第二输出节点(11、12);下位DA变换电路部(200),是把这两个输出节点的电压,当作R－2R梯形电路(201)的基准电压,对输入码的下位8比特,进行DA变换后,输出到第三输出节点(13)上;取样保持部(250),是与该输入码的值相对应,选择性地取样保持所述13比特的输入码的DA变换输出,即所述第三输出节点(13)的电压;输出部(300),是将被取样保持的DA变换输出电压,以任意电压(Vc)为中心,进行放大。因此,即使变换比特数多的情况下,也能够在小面积芯片上实现可高精度输出希望的模拟电压的DA变换电路。
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公开(公告)号：CN1326299C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200310115788.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , H01S5/042 , H01S5/0428
Abstract: 本发明的一种激光二极管驱动装置能够在从小电流区至大电流区的范围内适当缩短激光二极管驱动电流的上升时间和下降时间。微分电流与从输入恒定电流源向激光二极管驱动电流放大器施加初始输入电流同步地，通过微分电路和引入型V-I转换电路被添加至该输入电流，由此使激光二极管驱动电流的上升变得陡峭。另外，通过与输入电流断开同步地，利用微分电流和引出型V-I转换电路增加构成激光二极管驱动电流放大器的输入PchMOS晶体管的栅电势，可以使激光二极管驱动电流的下降变得陡峭。
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公开(公告)号：CN1244152C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02150573.X
申请日：2002-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是为了提高在电源端子及接地端子处于开放状态时的半导体装置的耐冲击电荷的性能。在有相互串联的第1、第2及第3反相器100、200、300的半导体装置上，为将外部加在信号输入端子10上的正冲击电荷导向电源线21的第1输入保护电源50，加上为将外部加在信号输入端子10上的负冲击电荷导向接地线31的第2输入保护电源60，又为了从第1输入保护电路50导向电源线21，再从第2反相器200中的P沟道晶体管201流向第3反相器300的冲击电荷导向接地线31，设置了内部保护电路250。
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公开(公告)号：CN1420563A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02150573.X
申请日：2002-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是为了提高在电源端子及接地端子处于开放状态时的半导体装置的耐冲击电荷的性能。在有相互串联的第1、第2及第3反相器100、200、300的半导体装置上，为将外部加在信号输入端子10上的正冲击电荷导向电源线21的第1输入保护电源50，加上为将外部加在信号输入端子10上的负冲击电荷导向接地线31的第2输入保护电源60，又为了从第1输入保护电路50导向电源线21，再从第2反相器200中的P沟道晶体管201流向第3反相器300的冲击电荷导向接地线31，设置了内部保护电路250。
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