公开(公告)号：CN103946982A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN103620783B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103620783A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。