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公开(公告)号：CN101369595B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810212857.4
申请日：2004-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H04N5/341 , H04N5/3575 , H04N5/3741
Abstract: 一种固态成像装置，包括：多个光电二极管，用于执行光电转换，每一个光电二极管按行方向和列方向被二维设置在半导体衬底上；多个传输门，用于传输由执行光电转换所获得的信号电荷；多个浮置扩散层，用于暂时存储所传输的信号电荷；放大器晶体管，用于放大传送到其栅极的信号电荷；复位晶体管，用于复位浮置扩散层中存储的信号电荷；以及垂直信号线，用于输出与浮置扩散层中的信号电荷相对应的信号；其中至少一个有源区中包括的浮置扩散层连接至与浮置扩散层在列方向相邻的有源区中包括的放大器晶体管的栅极；以及垂直信号线在列方向输出该信号。
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公开(公告)号：CN100349460C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200480001278.5
申请日：2004-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3577 , H04N5/374
Abstract: 光敏单元各包括光电二极管(1)、传输门(2)、浮置扩散层部分(3)、放大晶体管(4)、和复位晶体管(5)。光敏单元的放大晶体管(4)的漏极连接到电源线(10)，并且脉冲电源电压(VddC)施加于电源线(10)。这里，电源电压的低电平电位(VddC_L)具有高于零电位的预定电位。具体地说，通过使低电平电位(VddC_L)高于在给复位晶体管(5)施加低电平时获得的沟道电位，或者在给传输门(2)施加低电平时获得的沟道电位，或者光电二极管(1)的沟道电位，可以读取具有低噪声的重显图像。
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公开(公告)号：CN1527393B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200410005238.X
申请日：2004-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H04N5/341 , H04N5/3575 , H04N5/3741
Abstract: 在每个光敏单元中，光电二极管101、传输门102、浮置扩散层部分103、放大器晶体管104和复位晶体管105被形成在由器件隔离区包围的一个有源区中。包含于一个光敏单元中的浮置扩散层部分103不连接此光敏单元中包括的放大器晶体管104，而是连接到与该一个光敏单元在列方向相邻的另一光敏单元中包括的放大器晶体管104的栅极。多晶硅布线111连接设置在相同行的传输门102，多晶硅布线112连接设置在相同行的复位晶体管105。为了在行方向连接，只使用多晶硅布线。
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公开(公告)号：CN101005559A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710003827.8
申请日：2007-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/3598
Abstract: 本发明提供一种对于强光入射时图像变黑的问题能够在确保偏差容限的状态下可靠地判断变黑现象的固体摄像器件。一种输出对应于受光量的亮度信号的固体摄像器件，具备：像素电路(110)，包括受光元件(111)；信号输出电路，根据来自像素电路(110)的输出信号，从第2信号输出线(104)输出对应于受光元件(111)中的受光量的亮度信号，由取样晶体管(121)等构成；高亮度判断电路(140c)，通过判断输入耦合电容(145)与像素电路(110)耦合，根据来自像素电路(110)的输出信号，判断向受光元件(111)的入射光是否是高亮度，在判断为是高亮度的情况下，对第2信号输出线(104)输出表示是高亮度的亮度信号。
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公开(公告)号：CN1706182A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001278.5
申请日：2004-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3577 , H04N5/374
Abstract: 光敏单元各包括光电二极管(1)、传输门(2)、浮置扩散层部分(3)、放大晶体管(4)、和复位晶体管(5)。光敏单元的放大晶体管(4)的漏极连接到电源线(10)，并且脉冲电源电压(VddC)施加于电源线(10)。这里，电源电压的低电平电位(VddC_L)具有高于零电位的预定电位。具体地说，通过使低电平电位(VddC_L)高于在给复位晶体管(5)施加低电平时获得的沟道电位，或者在给传输门(2)施加低电平时获得的沟道电位，或者光电二极管(1)的沟道电位，可以读取具有低噪声的重显图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101926164A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103368.8
申请日：2009-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/3658 , H04N5/374 , H04N5/3742
Abstract: 根据本发明的固体摄像装置，包括：像素阵列(21)，具有被排列成行列状的多个像素部；垂直寄存器(26)，选择像素阵列(21)的行；列放大器部(22)，被设置在每个列，且对从属于选择出的行的像素部输出的列信号进行放大；以及限制电路，对所述列放大器的输出电压进行限制，以便不超过可切换的规定电压；所述限制电路，按照通常模式与高灵敏度模式之间的切换，对所述规定电压进行切换。
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公开(公告)号：CN100502020C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580019013.2
申请日：2005-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14643
Abstract: 一种放大型固体摄像器件，至少包括：受光部(10)，在半导体基板(7)上以一维状或二维状配置多个像素而形成，该像素将入射光变换成信号电荷，输出对应于信号电荷量的电信号；读取单元，从多个像素分别依次读取上述电信号；除噪声电路(11)，抑制从读取单元读取的电信号的假信号；以及第一遮光层(1)，位于受光部(10)的上部，限制光入射到像素的光电变换部(10a)以外的部分。在除噪声电路(11)的上部，还设有限制光入射到除噪声电路(11)的第二遮光层(2)。
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公开(公告)号：CN1965409A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580019013.2
申请日：2005-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14643
Abstract: 一种放大型固体摄像器件，至少包括：受光部(10)，在半导体基板(7)上以一维状或二维状配置多个像素而形成，该像素将入射光变换成信号电荷，输出对应于信号电荷量的电信号；读取单元，从多个像素分别依次读取上述电信号；除噪声电路(11)，抑制从读取单元读取的电信号的假信号；以及第一遮光层(1)，位于受光部(10)的上部，限制光入射到像素的光电变换部(10a)以外的部分。在除噪声电路(11)的上部，还设有限制光入射到除噪声电路(11)的第二遮光层(2)。
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公开(公告)号：CN1534793A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031962.X
申请日：2004-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609
Abstract: 一种固态成像装置(100)，包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括：光电二极管(5)，形成为暴露在半导体衬底的表面上，用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷；转移晶体管，用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷；浮动扩散层(1)，用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷；以及放大器晶体管(2)，用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖，并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。
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公开(公告)号：CN1527393A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410005238.X
申请日：2004-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H04N5/341 , H04N5/3575 , H04N5/3741
Abstract: 在每个光敏单元中，光电二极管101、传输门102、浮置扩散层部分103、放大器晶体管104和复位晶体管105被形成在由器件隔离区包围的一个有源区中。包含于一个光敏单元中的浮置扩散层部分103不连接此光敏单元中包括的放大器晶体管104，而是连接到与该一个光敏单元在列方向相邻的另一光敏单元中包括的放大器晶体管104的栅极。多晶硅布线111连接设置在相同行的传输门102，多晶硅布线112连接设置在相同行的复位晶体管105。为了在行方向连接，只使用多晶硅布线。
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