公开(公告)号：CN1933261A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610127408.0

申请日：2006-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  竹原浩成 ,  岩井誉贵 ,  安川久忠

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光单元，包括：激光发射部分，其包括具有不同激光束波长的多个半导体激光元件；镜面部分，其具有用于反射从该激光发射部分发射出来的激光束的光反射膜。该镜面部分被设计成多个区域，从多个半导体激光元件中的每个半导体激光元件发出的每束激光进入这些区域，同时在每个区域中，都提供有对选择性进入该区域的激光束具有高反射系数的反射膜。

公开(公告)号：CN101901849A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010190240.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵 ,  竹原浩成

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022416 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具有光电转换功能的光半导体装置，具备：半导体基板，该半导体基板包含第1导电型的半导体层，在所述第1导电型的半导体层上形成的、具有受光面的第2导电型的半导体层，从所述第2导电型的半导体层的上面贯通该第2导电型的半导体层内后与所述第1导电型的半导体层相接地形成的第1导电型的接触层；电极对，该电极对由在所述接触层上设置的第1电极和在所述第2导电型的半导体层上而且与所述第1电极离开的位置上设置的第2电极构成，旨在取出对射入所述受光面的光进行光电转换后获得的电流；绝缘膜，该绝缘膜在所述第2导电型的半导体层上，而且在所述第1电极和所述第2电极之间的区域设置；第3电极，该第3电极在所述绝缘膜上设置。