半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1142587C

    公开(公告)日:2004-03-17

    申请号:CN97190606.8

    申请日:1997-04-18

    CPC classification number: H01L27/11502 H01L27/10805

    Abstract: 本发明的目的是在具有强电介质电容器的半导体器件中,减小强电介质电容器的特性离散,且把该强电介质电容器的特性变动,即把时间的流驶所伴生的特性退化抑制为很小。本方案是:用具有以沿第1方向D1延伸并与该第1方向垂直的第2方向D2为宽度方向的平面形状的下部电极111a,在该下部电极111a上边被配置为相向的多个上部电极112a,和配置在该两电极间的强电介质层,构成强电介质电容器110a,且把该上部电极112a的平面形状做成为上述第1方向D1上的尺寸比上述第2方向上的尺寸小的形状。

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