公开(公告)号：CN1744290A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510095999.3

申请日：2005-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹田秀则 ,  反保敏治

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明的异构双极晶体的制造方法，首先是在基板上顺次沉积集接触层、集层、基本层、基本层保护层、发射极层、发射极接触层及钨硅膜。其后在钨硅层上形成抗蚀膜，以抗蚀图案为掩模进行钨硅层的图案形成。再后，以抗蚀图案为掩模，通过ICP(Inductively Coupled Plasma)方式的干蚀刻顺次除去发射极接触层和发射极层。

公开(公告)号：CN103620751A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280031197.4

申请日：2012-07-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大来英之 ,  上本康裕 ,  引田正洋 ,  竹田秀则 ,  佐藤高广 ,  西尾明彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7789 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7787

Abstract: 具备基板、形成在基板之上的第1氮化物半导体层（1）、层叠在第1氮化物半导体层（1）之上、比该第1氮化物半导体层（1）带隙大、开设有底部达到第1氮化物半导体层（1）而贯通的凹槽部的第2氮化物半导体层（2）、将凹槽部（11）的内壁和第2氮化物半导体层（2）覆盖而层叠、比第1氮化物半导体层（1）带隙大的第3氮化物半导体层（12）、在凹槽部（11）的上层形成在第3氮化物半导体层（12）上的栅极电极（5）、和分别形成在栅极电极（5）的两侧方的第1欧姆电极（4a）及第2欧姆电极（4b）。