公开(公告)号：CN1006503B

公开(公告)日：1990-01-17

申请号：CN86101304

申请日：1986-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤原诚 ,  米田一 ,  冈本正史

IPC: H01G9/08 ,  H01G9/04

Abstract: 在本发明的双电荷层电容器中，至少在阳极的金属容器构件(9)的内表面形成铝层(8)，由于附加电压使该铝层(8)形成电化学稳定的阳极氧化膜，并且，有效地利用该膜的电阻低到在实用上完全不成问题的程度的性质，从而获得具有3V以上的击穿电压的双电荷层电容器。

公开(公告)号：CN86101304A

公开(公告)日：1987-09-09

申请号：CN86101304

申请日：1986-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤原诚 ,  米田一 ,  冈本正史

IPC: H01G4/00 ,  H01G1/005 ,  H01G1/02

Abstract: 本发明在双电荷层电容器中，至少在阳极的金属容器(9)的内面形成铝层(8)，而该铝层(8)根据附加电压而形成电化学安定的阳极氧化膜，并且，巧妙地利用该膜的电阻低到在实用上完全不成问题的程度的性质，从而获得3V以上的耐电压的双电荷层电容器。