公开(公告)号：CN103650179A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033297.0

申请日：2012-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东健一 ,  井手义行 ,  薄窪秀昭 ,  中津浩二 ,  内田贵史

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L24/97 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: 发光装置具备：基板(101)；发光元件(102)，其保持在基板(101)之上，与光出射面(121)相反一侧的面位于基板(101)一侧；第一树脂密封体(104)，其以光出射面(121)的至少一部分露出的方式覆盖发光元件(102)；以及，第二树脂密封体(105)，其接着第一树脂密封体(104)以及光出射面(121)之上而形成。第一树脂密封体(104)含有反光材料，第二树脂密封体(105)将发光元件(102)放射的第一光的一部分转换为波长相异的第二光，并且将第一光及第二光混合。

公开(公告)号：CN1091302C

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN96100548.3

申请日：1996-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大泽胜市 ,  老邑克彦 ,  薄窪秀昭

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L27/1443

Abstract: 提供可使用各种放大器且电路规模小的光检测装置及其制造方法。第1受光部分PD1由P型半导体基板上形成的N型第1杂质区和N型第1杂质区表面上形成的P型第2杂质区构成，第2受光部分PD2由P型半导体基板和其上形成的N型第3杂质区构成。第1和第2受光部分串联连接，所以使用双极型晶体管作为放大装置能够减小光检测装置的电路规模。另外，第1、第2受光部分上分别加反向偏置电压，提高了光灵敏度。此外，可通过第1、第2受光部分的面积比设定检测光的波段。