公开(公告)号：CN1126150C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN97190998.9

申请日：1997-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松克立 ,  小田中绅二 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/74 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105

Abstract: 一种生产半导体器件的方法，包括步骤：通过离子注入，形成用于控制阈值电压的杂质扩散层；以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地，高温快速热处理的处理条件以这种方式设定，即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散，而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。

公开(公告)号：CN1198250A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN97190998.9

申请日：1997-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 赤松克立 ,  小田中绅二 ,  海本博之

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/74 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105

Abstract: 一种生产半导体器件的方法,包括步骤:通过离子注入,形成用于控制阈值电压的杂质扩散层;以及进行使由于离子注入而产生的晶体缺陷恢复的高温快速热处理。更具体地,高温快速热处理的处理条件以这种方式设定,即使引起晶体缺陷的填隙原子扩散,而杂质扩散层中的杂质不扩散。例如高温快速热处理是在温度范围为约900℃到约1100℃下进行的。