公开(公告)号：CN1389918A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02103320.X

申请日：2002-01-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 高耐压半导体装置具有:半导体领域2、接触用扩散领域6,分散扩散领域4,场绝缘膜16,与接触用N型扩散领域6相连并导通的金属电极25、在浮动状态下形成的多个板式电极18a、19a。金属电极25的一部分(25－1、25－2)延伸到位于板式电极18a、19a的正上方的层间绝缘膜34上,板式电极18a、19a和金属电极25－1、25－2彼此电容耦合。在接触用N型扩散领域6所包围的半导体领域2上,设置了CMOS晶体管(7～11等)、电阻(13等)、电容(12等)。提供一种即使在高温下使用,耐压也不会下降的高耐压半导体装置。

公开(公告)号：CN1241263C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02103320.X

申请日：2002-01-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 高耐压半导体装置具有：半导体领域2、接触用扩散领域6，分散扩散领域4，场绝缘膜16，与接触用N型扩散领域6相连并导通的金属电极25、在浮动状态下形成的多个板式电极18a、19a。金属电极25的一部分(25-1、25-2)延伸到位于板式电极18a、19a的正上方的层间绝缘膜34上，板式电极18a、19a和金属电极25-1、25-2彼此电容耦合。在接触用N型扩散领域6所包围的半导体领域2上，设置了CMOS晶体管(7～11等)、电阻(13等)、电容(12等)。提供一种即使在高温下使用，耐压也不会下降的高耐压半导体装置。

公开(公告)号：CN1231977C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02107779.7

申请日：2002-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的目的为提供一种即使在高温下使用、导通电阻也不会劣化这样的高可靠性高耐压半导体器件。本发明的高耐压半导体器件具有半导体层1；漏极偏置扩散区2；源极扩散区5；漏极扩散区4；埋入到漏极偏置扩散区2内的第一导电型埋入扩散区3；以电浮动状态形成在场绝缘膜7上的至少一个板式电极(15a、16a、17a)；形成在位于板式电极(15a、16a、17a)上的层间绝缘膜8上，一部分与漏极扩散区4电气连接，且与板式电极(15a、16a、17a)电容耦合的金属电极14(14-1、14-2、14-3)。

公开(公告)号：CN1207791C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN00135722.0

申请日：2000-12-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种耐高压半导体器件，包括：漏极扩散区域；与所述漏极扩散区域进行电连接的金属电极；从所述漏极扩散区域隔离开并且从基板法线方向看上去是包围所述漏极扩散区域从而以浮动状态形成在所述场绝缘膜上的多个阳极；所述金属电极的一部分在分别位于所述多个阳极上的所述层间绝缘膜上延续存在，所述金属电极的所述一部分和所述多个阳极分别相互进行容量耦合。该半导体器件即使在高温下使用，其漏极·源极之间的耐压性能也不会劣化。

公开(公告)号：CN1377093A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107779.7

申请日：2002-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的目的为提供一种即使在高温下的使用导通电阻不会劣化这样的高可靠性高耐压半导体器件。本发明的高耐压半导体器件具有半导体层1;漏极偏置扩散区2;源极扩散区5;漏极扩散区4;埋入到漏极偏置扩散区2内的第一导电型埋入扩散区3;以电浮动状态形成在场绝缘膜7上的至少一个板式电极(15a、16a、17a);形成在位于板式电极(15a、16a、17a)上的层间绝缘膜8上,一部分与漏极扩散区4电气连接,且与板式电极(15a、16a、17a)电容耦合的金属电极14(14－1、14－2、14－3)。