公开(公告)号：CN104421802A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410406294.8

申请日：2014-08-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 長崎纯久 ,  大林孝志 ,  井上修 ,  奥山浩二郎 ,  新田充 ,  白石诚吾

IPC: F21S8/12 ,  F21V13/00 ,  F21W101/10 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/62 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7736 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7794 ,  F21S41/14 ,  F21S41/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01S5/005 ,  H01S5/34333 ,  F21S41/173 ,  F21S41/141 ,  F21S41/18 ,  F21S41/60 ,  F21W2102/00 ,  F21W2107/10

Abstract: 本发明的课题是使使用半导体发光元件的光源装置的发光效率提高，所述半导体发光元件发出具有高能量密度的光。一种光源装置，其包含半导体发光元件和波长变换部件，所述波长变换部件对从所述半导体发光元件发出的光进行波长变换，所述半导体发光元件的发光峰波长为380nm以上420nm以下，从该半导体发光元件发出的光的光能量密度为0.2kW/cm2以上，所述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种，其中0≤x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1。