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公开(公告)号：CN101981620A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110538.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质、记录装置、再现装置及再现方法。该信息记录介质，具有可记录信息的N个(N为N≥3的整数)信息层，且通过照射激光，进行在各信息层上的信息记录以及上述各信息层中所记录的信息的再现，上述N个信息层包括：从激光入射侧按顺序配置的第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层...第2信息层、第1信息层，上述第N信息层的反射率为RN，第M信息层(M为满足N＞M≥1的所有的整数)的反射率为RM，当再现上述第N信息层中所记录的信息时，照射至上述第N信息层的激光的上限再现功率为PrNmax，在进行上述第M信息层中所记录的信息的再现时，照射至上述第M信息层的激光的上限再现功率为PrMmax，且同时满足下列公式(1)、(2)。RN＞RM ···(1)；PrNmax＜PrMmax ···(2)。
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公开(公告)号：CN101636278A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008650.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2437 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24324 , Y10T428/21 , Y10T428/25
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)Sb x S 100-x (原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。
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公开(公告)号：CN102656634A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056565.1
申请日：2010-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/126
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。记录波形发生器(112)根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数，激光驱动电路(111)利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)，在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103189918A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201280003493.3
申请日：2012-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/007 , G11B7/1263 , G11B7/1267 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/1263 , G11B7/1267 , G11B7/24038
Abstract: 当设写入脉冲的功率为峰值功率、底部脉冲的功率为底部功率时，功率设定部(114)设定记录脉冲列的各脉冲的功率，使得最接近光记录介质(11)的光入射面的第N信息层的峰值功率PwN、第N信息层的底部功率PbN、第M信息层(M为N＞M≥1的整数)的峰值功率PwM以及第M信息层的底部功率PbM满足下述的关系式：PbN/PwN＞PbM/PwM。
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公开(公告)号：CN101636278B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200880008650.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2437 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24324 , Y10T428/21 , Y10T428/25
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)SbxS100-x(原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。
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公开(公告)号：CN101496104B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
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公开(公告)号：CN102656634B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080056565.1
申请日：2010-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/126
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明在光学信息记录介质的全部信息层中高质量地记录或再生信息。记录波形发生器(112)根据标记的标记长、标记之前的第一间隔的第一间隔长、标记之后的第二间隔的第二间隔长的组合，选择用于形成标记的记录脉冲串的控制参数，激光驱动电路(111)利用基于所选择的控制参数的记录脉冲串记录标记，第一间隔长被分类为m种(m为整数)，第二间隔长被分类为n种(n为整数)，在对N层信息层中与指定的第一信息层相比位于激光光束入射侧的第二信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值大于或等于对第一信息层进行记录时选择的(m×n)个控制参数中指定的两个控制参数之差的绝对值。
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公开(公告)号：CN101496104A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
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