公开(公告)号：CN1581475B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410048579.5

申请日：2004-06-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  桥本圭司 ,  西冈康隆 ,  松本晋 ,  关口满 ,  岩崎晃久

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在低介电常数膜内形成孤立通路时抑制抗蚀剂中毒的发生。在形成于衬底1上的p-SiOC膜12内形成第1布线15和第1虚设布线15a。接着，形成p-SiOC膜22，在p-SiOC膜22上形成覆盖膜23。在覆盖膜23和p-SiOC膜22内形成由与第1布线15连接的通路28和第2布线29构成的双镶嵌布线，同时在孤立的通路28的周边形成虚设通路28a。

公开(公告)号：CN1698194A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000304.2

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 松本晋 ,  关口满 ,  西冈康隆 ,  富田和朗 ,  岩崎晃久 ,  桥本圭司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明是抑制配线间绝缘膜的泄漏电流的增大以及膜质的经时变化，并防止光敏抗蚀剂的中毒。在设有沟道孔(108)的低介电常数膜(105)下侧夹有第一不含氮绝缘膜(104)而设置第一含氮绝缘膜(103)。此外，在低介电常数膜(105)上侧夹有第二不含氮绝缘膜(106)而设置第二含氮绝缘膜(107)。

公开(公告)号：CN1581475A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410048579.5

申请日：2004-06-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 富田和朗 ,  桥本圭司 ,  西冈康隆 ,  松本晋 ,  关口满 ,  岩崎晃久

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在低介电常数膜内形成孤立通路时抑制抗蚀剂中毒的发生。在形成于衬底1上的p－SiOC膜12内形成第1布线15和第1虚设布线15a。接着，形成p－SiOC膜22，在p－SiOC膜22上形成覆盖膜23。在覆盖膜23和p－SiOC膜22内形成由与第1布线15连接的通路28和第2布线29构成的双镶嵌布线，同时在孤立的通路28的周边形成虚设通路28a。

公开(公告)号：CN101359646A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810129612.5

申请日：2008-07-31

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 富田和朗

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供可防止晶圆边缘部的膜剥落或图案断续的半导体晶圆及半导体装置的制造方法。在硅衬底(101)上，在用沟槽分离膜(500)分离的活性区上形成栅结构(400)，进而将接触层间膜(103)、低k通路层间膜即V层和低k布线层间膜即M层交替成膜而形成多层布线结构。在从第一层间膜(113)至第五层间膜(153)的精细层中除去M层的晶圆边缘部，但不除去V层的晶圆边缘部。另外，接触层间膜(103)的晶圆边缘部没有被除去。