公开(公告)号：CN1148774C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN00107058.4

申请日：2000-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  近藤行廣 ,  相澤浩一 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  幡井崇 ,  櫟原勉 ,  越田信義

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源(10)具有导电性基板(1)、在导电性基板(1)的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层(6)、以及在半导体层上形成的导电性薄膜(7)。通过加上导电性薄膜(7)相对于导电性基板(1)为正的电压，注入导电性基板(1)的电子通过半导体层从导电性薄膜(7)发射。半导体层包含柱状结构部分(21)和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分(25)混合存在的多孔半导体层(6)。

公开(公告)号：CN1271958A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00107058.4

申请日：2000-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  近藤行廣 ,  相澤浩一 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  幡井崇 ,  櫟原勉 ,  越田信義

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明揭示一种场致发射型电子源及其制造方法。场致发射型电子源10具有导电性基板1、在导电性基板1的一个表面上形成的至少一部分进行多孔化处理的半导体层6、以及在半导体层上形成的导电性薄膜7。通过加上导电性薄膜7相对于导电性基板1为正的电压,注入导电性基板1的电子通过半导体层从导电性薄膜7发射。半导体层包含柱状结构部分21和平均尺寸在2μm以下的多孔结构部分25混合存在的多孔半导体层6。

公开(公告)号：CN1121702C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN98116965.1

申请日：1998-08-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  越田信義

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312

Abstract: 本发明为一种场致发射型电子源，具有导电性基板(1)、在导电性基板一表面侧形成的具有毫微构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层(6)、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜(7)，相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压，通过金属薄膜发射电子束。

公开(公告)号：CN1215907A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98116965.1

申请日：1998-08-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  越田信義

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312

Abstract: 本发明为一种场致发射型电子源,具有导电性基板(1)、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层(6)、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜(7),相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压,通过金属薄膜发射电子束。