晶片用洗净水和晶片的洗净方法

    公开(公告)号:CN102549722B

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201080045034.2

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种不需要烦琐的操作,以相对简单的操作,即使在晶片洗净时所使用的超纯水中存在有ng/L(ppt)等级的金属离子,也不会使晶片表面被金属元素污染的晶片的洗净技术;将与金属离子具有亲和性的物质添加于超纯水中形成的晶片用洗净水;使用该晶片用洗净水的晶片的洗净方法。通过在晶片洗净用超纯水中预先添加与金属离子具有亲和性的物质,该物质在超纯水中捕捉金属离子并使其稳定存在于水中,由此,可有效防止在洗净时向晶片表面移动而附着在晶片表面上。

    晶片用洗净水和晶片的洗净方法

    公开(公告)号:CN102549722A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201080045034.2

    申请日:2010-09-28

    CPC classification number: H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种不需要烦琐的操作,以相对简单的操作,即使在晶片洗净时所使用的超纯水中存在有ng/L(ppt)等级的金属离子,也不会使晶片表面被金属元素污染的晶片的洗净技术;将与金属离子具有亲和性的物质添加于超纯水中形成的晶片用洗净水;使用该晶片用洗净水的晶片的洗净方法。通过在晶片洗净用超纯水中预先添加与金属离子具有亲和性的物质,该物质在超纯水中捕捉金属离子并使其稳定存在于水中,由此,可有效防止在洗净时向晶片表面移动而附着在晶片表面上。

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