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公开(公告)号：CN114503392A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202180005144.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02J7/00 , H01M10/48 , H01M10/42 , G01R31/392
Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种与串联连接的多个电池有关的判定装置。该判定装置包括处理器。处理器被配置为基于第一电压数据和第二电压数据来判定多个电池之间的劣化偏差，第一电压数据表示在多个电池充电或放电的多个期间中的每次计测中、多个电池的电压中最大的最大电压，第二电压数据表示在多个期间中的每次计测中、多个电池的电压中最小的最小电压。
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公开(公告)号：CN113141035A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010895568.X
申请日：2020-08-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及充放电控制装置、充放电系统、充放电控制方法以及存储介质。提供在并联地连接多个电池单元块的组电池中，防止在电池单元块之间电流负荷过度地大幅出现偏差的充放电控制装置、充放电系统、充放电控制方法以及存储介质。根据实施方式，提供控制将分别具备1个以上的单电池单元的多个电池单元块相互并联地连接的组电池的充放电的充放电控制装置。充放电控制装置的控制器根据电池单元块各自的电流负荷或者与电流负荷关联的参数的至少任意一方，控制在各个电池单元块中流过的电流。
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公开(公告)号：CN107819339B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201710111890.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及充电模式制作装置、充电控制装置、充电模式制作方法及蓄电系统。基于二次电池的电压及电流，在考虑二次电池的劣化的同时计算对二次电池进行充电的电流的值。实施方式的充电控制装置基于根据二次电池的劣化模型或劣化映射、以及充电的对象的二次电池的内部状态参数计算出的充电模式，对上述充电的对象的二次电池的充电进行控制。基于内部状态参数的变更，对该充电模式进行更新。
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公开(公告)号：CN112529215A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010121955.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06Q10/00 , G06Q10/06 , G06Q50/06 , G06Q50/30 , G06F16/903
Abstract: 本发明的实施方式涉及再产品化支援服务器、电池回收支援服务器、电池数据库管理服务器、卖主计算机及用户计算机，提供支援二次电池的再产品化的再产品化支援服务器、电池回收支援服务器、电池数据库管理服务器、卖主计算机及用户计算机。根据实施方式，再产品化支援服务器包括处理器。处理器，取得表示电池产品的要求性能的规格数据，基于规格数据，设定作为电池产品中使用的二次电池的劣化状态而被容许的范围，取得表示车辆中搭载的二次电池的劣化状态的诊断结果、并且诊断结果的劣化状态落在作为电池产品的二次电池的劣化状态而被容许的范围的诊断数据，将基于诊断数据的电池产品有关的再产品化计划提供给外部。
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公开(公告)号：CN110311176A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810973704.5
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M10/42
Abstract: 本发明提供一种电池安全性评价装置、电池安全性评价方法、程序、控制电路及蓄电系统。本发明的实施方式涉及电池安全性评价装置、电池安全性评价方法、程序、控制电路及蓄电系统。本发明的一实施方式通过示出充电电池当前的安全性，能够按照当前的安全性来分别进行应对。本发明的一实施方式的电池安全性评价装置具备电池状态推定部、发热量推定部、安全指标计算部，对第一电池当前的安全性进行评价。电池状态推定部推定第一电池当前的劣化状态和第一电池当前的SOC。发热量推定部基于第一参照数据，推定外部温度变动时第一电池的发热量。第一参照数据是基于第一电池当前的劣化状态和第一电池当前的SOC，从至少表示充电电池的发热量与外部温度的关系的多个参照数据中选择出的与第一电池对应的参照数据。安全指标计算部基于第一电池的发热量，计算与外部温度变动时第一电池的温度相关的安全指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108627769A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710770398.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R31/36
CPC classification number: G01R31/3624 , G01F1/00 , G01F3/00 , G01R31/3648 , G01R31/3651 , G01R31/3658 , G06F17/18 , H01M10/4207 , H01M10/441 , H01M10/482 , H01M10/486 , H01M10/488 , H01M10/635 , H01M2200/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及电池安全性评价装置以及电池安全性评价方法。本发明的一个实施方式通过非破坏方式评价二次电池的安全性。本实施方式的电池安全性评价装置具备电池特性推断部、发热量推断部、电池单元到达温度推断部。电池特性推断部基于在评价对象的作为二次电池的第1电池的充电或者放电时计测出的第1电池的电压以及电流的数据，推断第1电池的内部状态参数的推断值。发热量推断部基于至少表示二次电池的发热量与外部温度的关系的参照数据、并且是基于推断值被设为与第1电池对应的第1参照数据，来推断外部温度变动时的第1电池的发热量。安全指标计算部基于第1电池的发热量，计算外部温度变动时的第1电池的温度涉及的安全指标。
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公开(公告)号：CN107819339A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710111890.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02J7/007 , H01M10/425 , H01M10/46 , H01M2010/4271 , H01M2010/4278 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H02J7/0008 , H02J7/0047 , H01M10/446
Abstract: 本发明涉及充电模式制作装置、充电控制装置、充电模式制作方法及蓄电系统。基于二次电池的电压及电流，在考虑二次电池的劣化的同时计算对二次电池进行充电的电流的值。实施方式的充电控制装置基于根据二次电池的劣化模型或劣化映射、以及充电的对象的二次电池的内部状态参数计算出的充电模式，对上述充电的对象的二次电池的充电进行控制。基于内部状态参数的变更，对该充电模式进行更新。
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公开(公告)号：CN103022438B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210226105.X
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/48 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/425 , H01M10/48 , H01M2004/021 , Y02T10/7011
Abstract: 根据一个实施方案，用于非水电解质二次电池单元的负极活性材料包括复合体。所述复合体包括碳质材料、分散在所述碳质材料中的硅氧化物和分散在硅氧化物中的硅。在所述复合体的粉末X射线衍射测试中，Si(220)面的衍射峰的半值宽度在1.5°-8.0°的范围内。硅氧化物相的平均尺寸在50nm-1000nm的范围内。(标准偏差)/(平均尺寸)之值等于或小于1.0，其中所述硅氧化物相的粒径分布的标准偏差定义为(d84%-d16%)/2。
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公开(公告)号：CN104078650A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410098870.7
申请日：2014-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/622 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种安全性高的非水电解质电池用电极。本发明的非水电解质电池用电极由集电体和电极合剂构成，所述电极合剂形成在集电体上并含有选自碳质物、金属粒子及金属氧化物粒子中的至少1种活性物质粒子和粘结剂，当将集电体和电极合剂的界面的切削强度记为a、将电极合剂内的水平方向上的切削强度记为b时，a及b满足a/b＜1的关系。
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公开(公告)号：CN1228882C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03159868.4
申请日：2003-09-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/62 , H01M4/364 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 提供一种非水电解质二次电池用负极活性物质和非水电解质二次电池。该非水电解质二次电池用负极活性物质，包含碳素物质粒子和在上述碳素物质粒子中分散的Si相；上述负极活性物质在粉末X射线衍射测定中由Si的(220)面形成的衍射峰的半高宽为1.5°以上、8°以下；上述Si相的平均尺寸为不到100nm。
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