光VT装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101680918B

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN200880012156.4

    申请日:2008-04-07

    CPC classification number: G01R15/241 G01R15/06 G01R15/16 G01R15/242 G01R15/247

    Abstract: 光VT装置具备:初级侧电极,与外部电气设备连接,通过上述电气设备被施加被测定电压;第一次级侧电极,与上述初级侧电极相对地设置;绝缘层,设置在上述初级侧电极与上述第一次级侧电极之间,构成与上述初级侧电极以及上述第一次级侧电极一起一体成形的绝缘筒;接地层,设置在上述绝缘筒的外周以及上述第一次级侧电极的周围,与上述第一次级侧电极之间具有上述绝缘层而确保静电电容;以及电气光学元件,对上述第一次级侧电极与上述接地层之间的电压进行测量。根据上述光VT装置,不会受到温度变化等周围环境的影响而可以高精度地进行被测定电压的测定,并且可以通过削减部件件数来实现装置小型化。

    光VT装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101680918A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200880012156.4

    申请日:2008-04-07

    CPC classification number: G01R15/241 G01R15/06 G01R15/16 G01R15/242 G01R15/247

    Abstract: 光VT装置具备:初级侧电极,与外部电气设备连接,通过上述电气设备被施加被测定电压;第一次级侧电极,与上述初级侧电极相对地设置;绝缘层,设置在上述初级侧电极与上述第一次级侧电极之间,构成与上述初级侧电极以及上述第一次级侧电极一起一体成形的绝缘筒;接地层,设置在上述绝缘筒的外周以及上述第一次级侧电极的周围,与上述第一次级侧电极之间具有上述绝缘层而确保静电电容;以及电气光学元件,对上述第一次级侧电极与上述接地层之间的电压进行测量。根据上述光VT装置,不会受到温度变化等周围环境的影响而可以高精度地进行被测定电压的测定,并且可以通过削减部件件数来实现装置小型化。

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