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公开(公告)号：CN117476587A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211725326.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片及半导体装置。有关实施方式的半导体芯片具备第1电极、半导体层、第2电极、第3电极和金属层。上述半导体层包括第1部分、第2部分及位于上述第1部分与上述第2部分之间的第3部分，设在上述第1电极之上。上述第2电极设在上述第1部分之上。上述第3电极设在上述第2部分之上。上述金属层设在上述第1电极之下，位于上述第3部分之下。上述金属层的下表面位于上述第1电极的下表面的下方。
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公开(公告)号：CN119677140A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217286.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高阈值电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由硼、铟、铝以及铍构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN117457605A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310135311.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L25/18 , H01L25/07
Abstract: 提供半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包含第一元件。第一元件包含第一～第三导电部件、第一半导体部件以及第三导电部件布线。第一导电部件包含第一导电部分与第二导电部分。第二导电部件包含第三导电部分与第四导电部分。从第一导电部分向第三导电部分的方向沿着第三方向。从第二导电部分向第四导电部分的方向沿着第一方向。第一半导体部件在第三方向上位于第一导电部分与第三导电部分之间，在第一方向上位于第二导电部分与第四导电部分之间。第三导电部件布线与第三导电部件电连接。第三导电部件布线的至少一部分通过第一半导体部件与第三导电部分之间的第一位置以及第一半导体部件与第一导电部分之间的第二位置中的某一个。
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公开(公告)号：CN114188415A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110136019.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供可提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第一导电部件、半导体部件、第二导电部件、第三导电部件、以及第一绝缘部件。半导体部件包含设于第一导电部件之上的第一半导体区域、设于第一半导体区域的一部分之上的第二半导体区域、以及设于所述第二半导体区域之上的第三半导体区域。第二半导体区域包含与所述第一半导体区域的一部分对置的第一面。所述第一面包含与第一绝缘部件相接的第一接触部分。第一面的下端部比第一接触部分靠下。第三半导体区域包含与第二半导体区域对置的第二面。第二面包含与第一绝缘部件相接的第二接触部分。第二面的下端部比第二接触部分靠下。
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公开(公告)号：CN118198110A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311069409.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供可得到稳定特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、半导体构件及第1绝缘构件。第1绝缘构件的第2绝缘区域包括与第1半导体区域的第3部分区域对置的第1面。第1绝缘构件的第3绝缘区域包括与第3部分区域对置的第2面。第1面包括第1电极侧的第1端。第2面包括第2电极侧的第2端。第2端的第2位置与第1端的第1位置不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116266610A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210801790.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 提供能够减少损耗的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、半导体部件、第1导电部件、连接部件、第1部件及绝缘部件。连接部件与第1导电部件电连接。第1部件设置于第3电极的第1电极部分与连接部件之间。第2导电区域在第1方向上的位置处于第3部分区域在第1方向上的位置与第1部件在第1方向上的位置之间。第1部件包含与第2导电区域所包含的元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN114628518A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110947803.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。
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公开(公告)号：CN118507512A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311076085.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。
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公开(公告)号：CN117096174A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211662630.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第1电极、n形的第1半导体区域、p形的第2半导体区域、n形的第3半导体区域、栅极电极、以及第2电极。第1半导体区域设置在第1电极上。第2半导体区域设置在第1半导体区域上，包括第1接触区域。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分上。第3半导体区域包括第2接触区域。第2接触区域中的第1元素的浓度比第1接触区域中的第1元素的浓度低。第1元素为从由金以及铂系元素形成的组中选择的至少一种。栅极电极隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第2半导体区域以及第3半导体区域上，并与第1接触区域以及第2接触区域相接。
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公开(公告)号：CN115775833A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111611750.9
申请日：2021-12-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 实施方式提供能够调整源极电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体部件，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第三电极；多个第四电极；以及第五电极。所述第三电极设置于所述半导体部件内，在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上延伸。所述第四电极与所述第二电极连接，沿着所述第二方向被设置有多个。所述第五电极设置于所述半导体部件内的所述第一电极与所述多个第四电极之间，沿所述第二方向延伸，与所述多个第四电极连接，与所述第一电极分离。
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