氢气存储装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101680599A

    公开(公告)日:2010-03-24

    申请号:CN200880015387.0

    申请日:2008-05-09

    Abstract: MH贮槽模块(13)装备有筒状的多孔构件(14)。多孔构件(14)构造为允许氢流过的氢流动通道(15)并且具有形成在它的外部圆周上的直线状延伸的槽。对于多孔构件(14),附有多个翅片(17),每个翅片(17)具有其第一端部部分和其第二端部部分,它们分别装配到不同的槽上。翅片(17)限定了多个用于容纳MG粉末(P)的存储腔室(19),并且MH贮槽模块(13)以彼此相邻从而形成预定形状的状态收纳在壳体(12)中。热媒管道(22a和22b)以当与翅片(17)接触时与各自的存储腔室(19)相对应的方式布置在壳体(12)中,并且热媒流入热媒管道(22a和22b)。因而,提供一种氢气存储装置,其能够容易增加它的可安置的位置并且能够简化它的安置工作。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101794754B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201010110421.1

    申请日:2010-02-03

    CPC classification number: H01L23/3735 H01L23/473 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体装置,包括:绝缘基底,所述绝缘基底具有陶瓷基底和位于所述陶瓷基底的相反表面上的金属涂层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述绝缘基底的一个表面上;热沉,所述热沉直接或间接地固定至所述绝缘基底的另一表面,并经由所述绝缘基底与所述半导体芯片热连接;以及至少一个抗翘曲片,所述至少一个抗翘曲片设置在所述热沉的至少一个表面上。所述抗翘曲片由具有涂层的金属片制成并且具有介于所述绝缘基底的热膨胀系数与所述热沉的热膨胀系数之间的热膨胀系数。

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