公开(公告)号：CN104429168B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380037399.4

申请日：2013-07-11

Applicant: 株式会社八神制作所

Inventor： 土田一辉

IPC: H05H6/00 ,  A61N5/10 ,  G21K5/08

CPC classification number: H05H6/00 ,  A61N2005/109 ,  B22D19/00 ,  B23K20/021 ,  G21G4/02

Abstract: 提供长寿命的中子产生装置用的靶及其制造方法。在中子产生装置用的靶中，向作为靶材的锂照射被加速器加速后的质子束，利用7Li(p、n)7Be反应产生中子，该中子产生装置用的靶具有：金属基板(52A)，其保持靶材(54)；以及密封金属薄膜(53)，其位于保持靶材(54)的保持面侧X。在金属基板(52A)的保持面侧X具有边框部(52a)和凹凸结构，在该凹凸结构中，在被边框部(52a)围着的内侧保留有多个岛部(52b)，使得边框部(52a)和多个岛部(52b)以外的其它区域成为减薄了靶材(54)的厚度的量后的凹部。密封金属薄膜(53)、边框部(52a)以及多个岛部(52b)的表面进行了热等静压(HIP)接合，靶材(54)被密封金属薄膜(53)密封在凹部中。

公开(公告)号：CN104429168A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380037399.4

申请日：2013-07-11

Applicant: 株式会社八神制作所

Inventor： 土田一辉

IPC: H05H6/00 ,  A61N5/10 ,  G21K5/08

CPC classification number: H05H6/00 ,  A61N2005/109 ,  B22D19/00 ,  B23K20/021 ,  G21G4/02

Abstract: 提供长寿命的中子产生装置用的靶及其制造方法。在中子产生装置用的靶中，向作为靶材的锂照射被加速器加速后的质子束，利用7Li(p、n)7Be反应产生中子，该中子产生装置用的靶具有：金属基板(52A)，其保持靶材(54)；以及密封金属薄膜(53)，其位于保持靶材(54)的保持面侧X。在金属基板(52A)的保持面侧X具有边框部(52a)和凹凸结构，在该凹凸结构中，在被边框部(52a)围着的内侧保留有多个岛部(52b)，使得边框部(52a)和多个岛部(52b)以外的其它区域成为减薄了靶材(54)的厚度的量后的凹部。密封金属薄膜(53)、边框部(52a)以及多个岛部(52b)的表面进行了热等静压(HIP)接合，靶材(54)被密封金属薄膜(53)密封在凹部中。