公开(公告)号：CN101678655A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017528.2

申请日：2008-05-22

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 稻叶祐策 ,  藤村千里 ,  野口裕香 ,  河口克己

IPC: B32B27/00 ,  B32B1/02 ,  B32B27/28 ,  B60C5/14 ,  B65D65/40 ,  B65D65/42

CPC classification number: C08J7/045 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/286 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B2255/205 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/7265 ,  B32B2439/00 ,  B60C5/14 ,  B60C2005/145 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明的阻气性前体叠层体，是具有支持体和在该支持体上形成的阻气层前体的叠层体，其特征在于，阻气层前体具有层(A)和层(B)，层(A)是包含聚羧酸类聚合物与下述通式(1)表示的硅烷偶联剂来源的含硅化合物(i)的层，上述聚羧酸类聚合物的重量与含硅化合物(i)的重量的比是99.5∶0.5～80.0∶20.0，上述层(B)是含有多价金属化合物的层，通过透射法测定层(A)的红外吸收光谱时的1490～1659cm -1 的范围内的最大峰高(α)与1660～1750cm -1 的范围内的最大峰高(β)的比(α/β)小于1，本发明的阻气性叠层体，是通过对上述阻气性前体叠层体实施蒸馏处理、煮沸处理、调湿处理等而得到的。Si(OR) 3 Z …(1)。