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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103728356A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310469785.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 株式会社堀场制作所
IPC: G01N27/403
CPC classification number: G01N27/27 , G01N27/307 , G01N27/3272 , G01N27/333 , G01N27/4035 , G01N33/492
Abstract: 本发明提供一种容易实现薄型化且测量精度高的平面型的多离子传感器。所述多离子传感器（1）测量试样溶液中的钠离子和钾离子的浓度比，其包括：对钠离子选择性地反应的钠离子电极（41）；对钾离子选择性地反应的钾离子电极（42）；以及与所述钠离子电极（41）和所述钾离子电极（42）对应的共通电极（28），所述钠离子电极（41）、所述钾离子电极（42）、以及所述共通电极（28）设置在同一支承体上，所述共通电极（28）没有内部液体，根据由下述公式（1）求出的变量A，测量钠离子和钾离子的浓度比。
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公开(公告)号：CN102230911A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110078014.1
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社堀场制作所
IPC: G01N27/36
CPC classification number: G01N27/36
Abstract: 一种在玻璃制支承管的顶端部结合有感应氢离子的玻璃响应膜的玻璃电极，所述玻璃响应膜为含有锂的多成分系玻璃，形成所述支承管的玻璃不含有铅或铅化合物，并且为了将热膨胀系数控制在所述玻璃响应膜用的玻璃的±20％以内使用含有10-20wt％的锂氧化物的玻璃。由此可提供实现无铅化、对环境无不良影响的玻璃电极。
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公开(公告)号：CN103728356B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201310469785.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 株式会社堀场制作所
IPC: G01N27/403
Abstract: 本发明提供一种容易实现薄型化且测量精度高的平面型的多离子传感器。所述多离子传感器（1）测量试样溶液中的钠离子和钾离子的浓度比，其包括：对钠离子选择性地反应的钠离子电极（41）；对钾离子选择性地反应的钾离子电极（42）；以及与所述钠离子电极（41）和所述钾离子电极（42）对应的共通电极（28），所述钠离子电极（41）、所述钾离子电极（42）、以及所述共通电极（28）设置在同一支承体上，所述共通电极（28）没有内部液体，根据由下述公式（1）求出的变量A，测量钠离子和钾离子的浓度比。
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公开(公告)号：CN102735730A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210083622.6
申请日：2012-03-27
Applicant: 株式会社堀场制作所
IPC: G01N27/28
CPC classification number: G01N27/283 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种电极体，能更好地防止因气泡积存在传感器芯片表面而不能进行测量的情况，该电极体包括：棒状的主体，沿规定的轴延伸；基板，形成有贯通表面和背面之间的贯通孔，安装在所述主体的前端部；电化学测量用芯片，以使感应部从所述贯通孔向外部露出的方式安装在基板的背面上，在所述基板的背面的表面上形成有布线，用于获得来自所述ISFET芯片的输出信号，并且使所述传感器芯片挨着或靠近所述布线安装，通过相对于所述主体的规定的轴倾斜安装所述基板，该基板的表面形成相对于所述规定的轴倾斜的前端面的至少一部分。
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