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公开(公告)号：CN101952966A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460215B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN101952966B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN102460215A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN101517751B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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公开(公告)号：CN101517751A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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