基板处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109461685A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811396341.X

    申请日:2015-02-23

    Inventor: 吉田武司

    Abstract: 基板处理装置(1)包括:具有上部开口(222)的腔室本体(22);具有下部开口(232)的腔室盖部(23);位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖,从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中,在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前,在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下,从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此,形成腔室体(21)后,腔室体(21)内迅速被气体所充满,从而能够实现所期望的低氧气气氛。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN105981139A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201580007916.2

    申请日:2015-02-23

    Inventor: 吉田武司

    Abstract: 基板处理装置(1)包括:具有上部开口(222)的腔室本体(22);具有下部开口(232)的腔室盖部(23);位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖,从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中,在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前,在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下,从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此,形成腔室体(21)后,腔室体(21)内迅速被气体所充满,从而能够实现所期望的低氧气气氛。

    基板处理装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109461685B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201811396341.X

    申请日:2015-02-23

    Inventor: 吉田武司

    Abstract: 基板处理装置(1)包括:具有上部开口(222)的腔室本体(22);具有下部开口(232)的腔室盖部(23);位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖,从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中,在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前,在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下,从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此,形成腔室体(21)后,腔室体(21)内迅速被气体所充满,从而能够实现所期望的低氧气气氛。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN105981139B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201580007916.2

    申请日:2015-02-23

    Inventor: 吉田武司

    Abstract: 基板处理装置(1)包括:具有上部开口(222)的腔室本体(22);具有下部开口(232)的腔室盖部(23);位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖,从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中,在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前,在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下,从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此,形成腔室体(21)后,腔室体(21)内迅速被气体所充满,从而能够实现所期望的低氧气气氛。

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