公开(公告)号：CN1121619A

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：CN95109645.1

申请日：1995-07-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小野记久雄 ,  津村诚 ,  小川和宏 ,  作田弘树 ,  铃木雅彦 ,  金子寿辉 ,  仲吉良彰 ,  鬼泽贤一 ,  桥本健一 ,  峰村哲郎

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/136218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259

Abstract: 为了提供一种具有明亮的图像显示和较好的成品率的液晶显示装置，在透明基板上的透明像素电极之下设置一带有一个小于像素平面面积的开口的栅绝缘膜，构成像素电极下的源电极图形，使之跨越该开口，以及提供一薄膜晶体管，该晶体管具有一种其边缘部逐渐变薄的栅电极，其倾斜角等于或小于半导体图形边缘部位的倾斜角的3倍(小于90°)。

公开(公告)号：CN1092343C

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN95109645.1

申请日：1995-07-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小野记久雄 ,  津村诚 ,  小川和宏 ,  作田弘树 ,  铃木雅彦 ,  金子寿辉 ,  仲吉良彰 ,  鬼泽贤一 ,  桥本健一 ,  峰村哲郎

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/136218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259

Abstract: 为了提供一种具有明亮的图像显示和较好的成品率的液晶显示装置，在透明基板上的透明像素电极之下设置一带有一个小于像素平面面积的开口的栅绝缘膜，构成像素电极下的源电极图形，使之跨越该开口，以及提供一薄膜晶体管，该晶体管具有一种其边缘部逐渐变薄的栅电极，其倾斜角等于或小于半导体图形边缘部位的倾斜角的3倍(小于90°)。