半导体应变传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101802541A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200880103012.X

    申请日:2008-07-25

    CPC classification number: G01L1/18 G01B7/16 G01L1/2293

    Abstract: 本发明提供一种半导体应变传感器,具有作为应变检测部件由具有压电电阻元件的半导体衬底构成的应变传感器芯片,其特性长期稳定,与测量对象物的应变对应地在应变传感器芯片中产生的应变的变换系数在所测量的大小的应变范围内是稳定的。用金属接合材料接合了应变传感器芯片的金属基底板具有用于从应变传感器芯片的侧边突出而安装到测量对象物上的2个或4个外伸构件。理想的是,在与将应变传感器芯片接合到金属基底板上的接合区域对应的金属基底板下表面区域与外伸构件下表面之间设置有沟,在金属基底板下表面设置有被沟夹着的突出部。

    光开关及其控制方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1497283A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN03160197.9

    申请日:2003-09-29

    Abstract: 本发明提供光开关可动反射镜能维持最佳姿态的小型光开关。输入一侧透镜数为比输入一侧光纤数N条至少多2个以上的N+2个以上,输出一侧透镜数为比输出一侧光纤数N条至少多2个以上的N+2个以上,输入一侧透镜与2个以上的激光二极管耦合,输出一侧透镜与2个以上的光电二极管耦合的光开关,使用反射镜阵列,把激光二极管和光电二极管耦合,进行可动反射镜的角度调整。据此,能使通信光的耦合稳定。

    半导体应变传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101802541B

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN200880103012.X

    申请日:2008-07-25

    CPC classification number: G01L1/18 G01B7/16 G01L1/2293

    Abstract: 本发明提供一种半导体应变传感器,具有作为应变检测部件由具有压电电阻元件的半导体衬底构成的应变传感器芯片,其特性长期稳定,与测量对象物的应变对应地在应变传感器芯片中产生的应变的变换系数在所测量的大小的应变范围内是稳定的。用金属接合材料接合了应变传感器芯片的金属基底板具有用于从应变传感器芯片的侧边突出而安装到测量对象物上的2个或4个外伸构件。理想的是,在与将应变传感器芯片接合到金属基底板上的接合区域对应的金属基底板下表面区域与外伸构件下表面之间设置有沟,在金属基底板下表面设置有被沟夹着的突出部。

    光开关
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1277136C

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN03160197.9

    申请日:2003-09-29

    Abstract: 本发明提供一种使光开关可动反射镜能维持最佳姿态的小型光开关。该光开关的输入一侧透镜数为比输入一侧光纤数N条至少多2个以上的N+2个以上,输出一侧透镜数为比输出一侧光纤数N条至少多2个以上的N+2个以上,输入一侧透镜与2个以上的激光二极管耦合,输出一侧透镜与2个以上的光电二极管耦合。使用反射镜阵列,把激光二极管和光电二极管耦合,进行可动反射镜的角度调整。据此,能使通信光的耦合稳定。

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