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公开(公告)号：CN1755870A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510093475.0
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/1214 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J9/50 , H01J2201/3125 , Y02W30/828
Abstract: 本发明提供一种显示装置的修正方法和制造方法，在电子发射式显示装置中，各像素具有信号线侧的第一电极和扫描线侧的第二电极中间隔着绝缘层(电子加速层)接合起来的电子源，为了抑制在其显示画面中不显示的像素以线状产生，在本发明中，切断该第一电极和该第二电极因缺陷而短路的电子源的第一电极和第二电极的导通，使有该缺陷的电子源与其它电子源孤立起来。在有缺陷的电子源中，例如，利用激光切除第二电极的包围上述缺陷的部分。
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公开(公告)号：CN1241269C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02130120.4
申请日：2002-08-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/78621
Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
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公开(公告)号：CN1310335C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02102827.3
申请日：2002-01-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1197169C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01140707.7
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/969
Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。
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公开(公告)号：CN1109628A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均粒度为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均粒度为0.5—2nm的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1404160A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02102827.3
申请日：2002-01-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1079984C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65-80%、 M6-16%、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3-15%的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5-14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0.5-2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500-560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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公开(公告)号：CN103513183A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310053250.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02J7/0042 , G01R21/06 , G01R31/3624 , G01R31/3679 , G01R31/3693
Abstract: 本发明提供一种二次电池的检查系统、充放电器以及检查方法，在二次电池的制造阶段能够确保长期容量可靠性。本检查系统（二次电池异常检测系统1）在ROM（31）中存储包含成为基准的二次电池初次充电时的V-dQ/dV曲线的信息的数据（72）。在检查二次电池（10）时，在从电源（60）进行了初次充电时，异常检测部（30）使用根据电流检测部（50）检测到的电流值（I）计算的蓄电量（Q），计算蓄电量（Q）的变化量（dQ）相对于电压检测部（40）检测到的电压值（V）的变化量（dV）的比例dQ/dV实测值，将该值与V-dQ/dV曲线的信息进行对比，判定是否相当于该曲线上的特征点，在不相当时，检测为该二次电池（10）的异常（无法确保长期容量可靠性）。
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公开(公告)号：CN1441501A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02130120.4
申请日：2002-08-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/78621
Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
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公开(公告)号：CN1357925A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01140707.7
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/969
Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。
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