公开(公告)号：CN1006835B

公开(公告)日：1990-02-14

申请号：CN86105580

申请日：1986-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 茅根直树 ,  鱼见和久 ,  福泽董 ,  松枝秀明 ,  梶村俊

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3407

Abstract: 在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型年和n-型敷层之间的情况下，势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。

公开(公告)号：CN86105580A

公开(公告)日：1987-01-21

申请号：CN86105580

申请日：1986-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 茅根直树 ,  鱼见和久 ,  福泽董 ,  松枝秀明 ,  梶村俊

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3407

Abstract: 在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型和n-型敷层之间的情况下，势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。