公开(公告)号：CN1266749C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02127294.8

申请日：2002-07-31

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 铃树正恭

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 通过CVD法形成改进了膜质量的金属膜，例如构成数据存储电容器下电极的Ru膜等。更具体地说，使用H2O作为催化剂，一价Ru化合物Ru(ACAC)(TMVS)2[ACAC：乙酰丙酮化物(CH3COCHCOCH3)-，TMVS：三乙基乙烯基硅烷(CH2CHSi(CH3)3)]作为原料，利用CVD法在氧化硅膜中的孔的侧壁和底表面上形成数据存储电容器的下电极Ru膜，在氧化硅膜上形成数据存储电容器。结果，通过产生零价Ru和包含三价Ru的Ru(ACAC)3，形成Ru膜。因此，如果利用歧化反应通过CVD法形成Ru膜，可以提高Ru膜的质量。而且，可以防止位于Ru膜下面的导电膜等氧化。

公开(公告)号：CN1249065A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN97182025.2

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用溅射法在晶片的主表面上淀积Co膜,该溅射法采用Co纯度不小于99.99%,较好是99.999%且Fe和Ni的含量不大于10ppm的高纯Co靶。 所淀积的Co膜转变成Co硅化物膜,与MOSFET的栅极、源和漏欧姆接触,具有低电阻且几乎不引起漏电流。

公开(公告)号：CN1516266A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200410003124.1

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：在晶片的第一和第二区分别形成第一和第二栅电极图形；在该第一和第二栅电极图形的两侧分别形成第一和第二导电类型的半导体区；分别在第一和第二栅电极图形的侧壁上形成侧壁间隔层，并使硅膜的表面露出；由第一栅电极图形的硅膜形成第一导电类型的第一栅电极，并在其两侧形成第一导电类型的半导体区，由第二栅电极图形的硅膜形成第二导电类型的第二栅电极，在其两侧形成具有高杂质浓度的第二导电类型的半导体区；在晶片的主平面上淀积Co膜；对晶片进行热处理以在第一和第二栅电极的表面和在具有高杂质浓度的第一和第二导电类型的半导体区的表面上形成Co硅化物层；去除Co膜的未反应部分并对晶片进行热处理，以降低Co硅化物层的电阻。

公开(公告)号：CN1161573A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN1146959C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN97182025.2

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 西原晋治 ,  池田修二 ,  桥本直孝 ,  枫弘志 ,  阿部宏美 ,  深田晋一 ,  铃树正恭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用溅射法在晶片的主表面上淀积Co膜，该溅射法采用Co纯度不小于99.99%较好是99.999%且Fe和Ni的含量不大于10ppm的高纯Co靶。所淀积的Co膜转变成Co硅化物膜，与MOSFET的栅极、源和漏欧姆接触，具有低电阻且几乎不引起漏电流。

公开(公告)号：CN1139129C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN1400639A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02127294.8

申请日：2002-07-31

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日本电气株式会社

Inventor： 铃树正恭

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 通过CVD法形成改进了膜质量的金属膜，例如构成数据存储电容器下电极的Ru膜等。更具体地说，使用H2O作为催化剂，一价Ru化合物Ru(ACAC)(TMVS)2[ACAC：乙酰丙酮化物(CH3COCHCOCH3)－，TMVS：三乙基乙烯基硅烷(CH2CHSi(CH3)3)]作为原料，利用CVD法在氧化硅膜中的孔的侧壁和底表面上形成数据存储电容器的下电极Ru膜，在氧化硅膜上形成数据存储电容器。结果，通过产生零价Ru和包含三价Ru的Ru(ACAC)3，形成Ru膜。因此，如果利用歧化反应通过CVD法形成Ru膜，可以提高Ru膜的质量。而且，可以防止位于Ru膜下面的导电膜等氧化。