公开(公告)号：CN100521146C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN03130602.0

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/78

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1516261A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03130602.0

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/78

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN100474558C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200610094395.1

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1516260A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02157188.0

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/78

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1112727C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN98802666.X

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1881556A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610094395.1

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1284224C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN02157188.0

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/78

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1248346A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN98802666.X

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生,制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件,此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶,从而优化了元件隔离沟槽的形状,并使器件更精细,且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1123466A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95116667.0

申请日：1995-08-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小森谷进 ,  町田贵裕 ,  国吉伸治 ,  入来信行 ,  前岛央 ,  小林正道

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/20 ,  H01L21/77

CPC classification number: G03F9/70

Abstract: 一种能够产生具有良好反差和对称性的位置检测信号的目标图形，该目标图形由光波长为λ、数值孔径为NA且局部相干为σ的位置检测光学系统检测，由具有隆起的点部或线部1a和设于1a周围的重复台阶部分1b构成，隆起宽度小于0.5λ(1+σ)NA，1b的步距小于λ(1+σ)/NA且宽度小于0.5λ(1+σ)/NA。另一种目标图形由点部或线部2a及重复台阶部分2b构成，2a的凹下宽度小于0.5λ(1+σ)/NA，而2b在2a周围且步距小于λ(1+σ)/NA而宽度小于0.5λ(1+σ)/NA。