显示装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101800229A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010125750.3

    申请日:2010-02-09

    CPC classification number: H01L27/1214 H01L29/04 H01L29/42384 H01L29/78618

    Abstract: 本发明提供一种显示装置,在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管,上述薄膜晶体管包括:栅电极;覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜;形成在上述栅极绝缘膜的上表面,且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜;隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜;跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成,且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内,并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层;以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流,不增加制造工时而实现电路的集成化。

    显示装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101800229B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201010125750.3

    申请日:2010-02-09

    CPC classification number: H01L27/1214 H01L29/04 H01L29/42384 H01L29/78618

    Abstract: 本发明提供一种显示装置,在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管,上述薄膜晶体管包括:栅电极;覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜;形成在上述栅极绝缘膜的上表面,且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜;隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜;跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成,且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内,并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层;以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流,不增加制造工时而实现电路的集成化。

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