公开(公告)号：CN103077825A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310005882.6

申请日：2011-04-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  小林敏彦 ,  小川诚 ,  元木章博 ,  川崎健一 ,  国司多通夫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/224

CPC classification number: H01G2/103 ,  B05D1/38 ,  B05D5/12 ,  B05D7/14 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件1的元件主体2赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体2赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体2的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。

公开(公告)号：CN107615421B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201680029037.4

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林敏彦

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备陶瓷坯体、外部电极和基底层，基底层在陶瓷坯体上形成，外部电极在基底层上形成，基底层由金属材料和包含硅原子的玻璃材料构成，金属材料在玻璃材料中以高分散状态存在。

公开(公告)号：CN102290239B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110114209.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  小林敏彦 ,  小川诚 ,  元木章博 ,  川崎健一 ,  国司多通夫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232

CPC classification number: H01G2/103 ,  B05D1/38 ,  B05D5/12 ,  B05D7/14 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。

公开(公告)号：CN107615421A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029037.4

申请日：2016-05-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林敏彦

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备陶瓷坯体、外部电极和基底层，基底层在陶瓷坯体上形成，外部电极在基底层上形成，基底层由金属材料和包含硅原子的玻璃材料构成，金属材料在玻璃材料中以高分散状态存在。

公开(公告)号：CN102290239A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110114209.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 齐藤顺一 ,  小林敏彦 ,  小川诚 ,  元木章博 ,  川崎健一 ,  国司多通夫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232

CPC classification number: H01G2/103 ,  B05D1/38 ,  B05D5/12 ,  B05D7/14 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。

公开(公告)号：CN216119930U

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202121462245.8

申请日：2021-06-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池田充 ,  西坂康弘 ,  小林敏彦

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本实用新型提供一种提高了对来自外部的应力的耐久性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)具备：层叠体(2)，包含交替地层叠的多个电介质层(4)以及多个内部电极层(5)；以及外部电极(3)，具有覆盖所述层叠体(2)的两侧的端面(C)并且包含金属(33)和玻璃(34)的基底电极层(31)，在所述基底电极层(31)中，在所述金属(33)的内部设置有金属内空隙(35)，在所述玻璃(34)的内部设置有玻璃内空隙(36)，所述金属内空隙(35)比所述玻璃内空隙(36)小。

公开(公告)号：CN212694930U

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202021422237.6

申请日：2020-07-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大谷慎士 ,  星野悠太 ,  小林敏彦 ,  后藤田朋孝

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/29 ,  H01F27/32 ,  H01F27/34 ,  H01F41/00 ,  H01F41/12

Abstract: 本实用新型提供能够抑制在比设计的范围过度变大的范围成膜的电子部件。作为绝缘性比芯(20)高的材质的第1绝缘层(50A)对芯(20的)表面的局部做覆盖。在第1绝缘层(50A)的表面上层叠有作为第1电极(75A)发挥功能的第1镀敷层(70A)。第1绝缘层(50A)的面积比第1镀敷层(70A)的面积大，在第1绝缘层(50A)的范围内，层叠有第1镀敷层(70A)。