公开(公告)号：CN100442440C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN03104326.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  西谷幹彥 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  中野文樹

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/06 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

Abstract: 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的受激准分子激光(excimer laser)1；使从该受激准分子激光1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单晶半导体层10上的投射光学系6；将经过振幅调变过的光设为具有成为结晶生长的起点的光强度的光的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。

公开(公告)号：CN1441463A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03104326.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  西谷幹彦 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  中野文樹

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/06 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

Abstract: 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射(excimerlaser)1；使从该准分子镭射1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上的投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。