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公开(公告)号：CN110998779B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880053031.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。本发明的离子源具备：真空槽（10A），具有冷却机构；离子生成容器（11），设置在真空槽（10A）内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极（15），设置在真空槽（10A）内，将在离子生成容器（11）内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件（30），设置在真空槽（10A）的内壁（10d）的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽（10A）的内壁（10d）的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部（31）。在遮蔽部件（30）的主体部（31）设置有多个突状的支承部（32），所述支承部（32）与真空槽（10A）的内壁（10d）接触而支承主体部（31），以使主体部（31）相对于真空槽（10A）的内壁（10d）分离而装设。
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公开(公告)号：CN109314025B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780039506.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种令在离子源的离子生成容器中令离子化气体与离子原料反应而生成离子时产生的中间生成物附着到气体供给管的供给侧末端部及内壁面的量尽可能减少的技术。本发明的离子源具有令经由筒状的气体导入管（13）导入到容器中的离子化气体与释放到容器中的离子原料反应以生成离子的离子生成容器（11）。气体导入管（13）构成为通过气体供给管（14）将离子化气体导入至气体导入管（13）的内部空间（13b）。在气体导入管（13）的内部空间（13b）中设置具有冷却并捕集在离子生成容器（11）中产生的中间生成物的冷却捕集部（33）的拆装自如的冷却捕集构件（30）。冷却捕集部（33）在气体导入管（13）的内部空间（13b）的气体供给管（14）的供给侧末端部（14a）附近，配置为不接触气体导入管（13）的内壁面。
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公开(公告)号：CN109314025A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780039506.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种令在离子源的离子生成容器中令离子化气体与离子原料反应而生成离子时产生的中间生成物附着到气体供给管的供给侧末端部及内壁面的量尽可能减少的技术。本发明的离子源具有令经由筒状的气体导入管（13）导入到容器中的离子化气体与释放到容器中的离子原料反应以生成离子的离子生成容器（11）。气体导入管（13）构成为通过气体供给管（14）将离子化气体导入至气体导入管（13）的内部空间（13b）。在气体导入管（13）的内部空间（13b）中设置具有冷却并捕集在离子生成容器（11）中产生的中间生成物的冷却捕集部（33）的拆装自如的冷却捕集构件（30）。冷却捕集部（33）在气体导入管（13）的内部空间（13b）的气体供给管（14）的供给侧末端部（14a）附近，配置为不接触气体导入管（13）的内壁面。
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公开(公告)号：CN105103264A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201580000348.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/09 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/028 , H05H1/16 , H05H7/04
Abstract: 从离子源向离子加速装置16入射并且在离子加速管24内飞行的正离子被在离子加速管24的内部配置的多个加速电极2a~2h加速而向照射对象物照射。在离子加速管24内配置有多个磁铁装置5，使各磁铁装置5分别形成的磁力线的方向在相邻的磁铁装置5中以比0度大且90度以下的角度不同，使各磁力线在离子加速管24内沿一个方向旋转。使在离子加速管24内逆行的电子与磁力线交叉，使电子一边逆行一边增加离飞行轴的距离。电子与离子加速管24内的构件冲撞，在变为高能量之前停止，因此，不产生高能量X射线。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110100296B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880005621.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/20 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
Abstract: 提供能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。对细丝20通电而使在腔室21的内部配置的阴极电极22升温，对在阴极电极22的侧方配置的氮化铝的原料块28进行加热，使其与导入的氟化合物气体发生反应而排出氟化铝。使从阴极电极22排出·加速后的热电子在阴极电极22与反射极电极23之间往复移动而将氟化铝气体分解来生成铝离子。得到能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。
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公开(公告)号：CN110998779A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053031.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。本发明的离子源具备：真空槽（10A），具有冷却机构；离子生成容器（11），设置在真空槽（10A）内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极（15），设置在真空槽（10A）内，将在离子生成容器（11）内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件（30），设置在真空槽（10A）的内壁（10d）的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽（10A）的内壁（10d）的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部（31）。在遮蔽部件（30）的主体部（31）设置有多个突状的支承部（32），所述支承部（32）与真空槽（10A）的内壁（10d）接触而支承主体部（31），以使主体部（31）相对于真空槽（10A）的内壁（10d）分离而装设。
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公开(公告)号：CN110100296A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201880005621.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/20 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
Abstract: 提供能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。对细丝20通电而使在腔室21的内部配置的阴极电极22升温，对在阴极电极22的侧方配置的氮化铝的原料块28进行加热，使其与导入的氟化合物气体发生反应而排出氟化铝。使从阴极电极22排出·加速后的热电子在阴极电极22与反射极电极23之间往复移动而将氟化铝气体分解来生成铝离子。得到能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。
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公开(公告)号：CN105103264B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201580000348.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/09 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/028 , H05H1/16 , H05H7/04
Abstract: 从离子源向离子加速装置16入射并且在离子加速管24内飞行的正离子被在离子加速管24的内部配置的多个加速电极2a~2h加速而向照射对象物照射。在离子加速管24内配置有多个磁铁装置5，使各磁铁装置5分别形成的磁力线的方向在相邻的磁铁装置5中以比0度大且90度以下的角度不同，使各磁力线在离子加速管24内沿一个方向旋转。使在离子加速管24内逆行的电子与磁力线交叉，使电子一边逆行一边增加离飞行轴的距离。电子与离子加速管24内的构件冲撞，在变为高能量之前停止，因此，不产生高能量X射线。
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